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Sic el cristal de semilla JDZJ01-001-005 S califica 6" el grado φ153±0.5mm de S

Certificación
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Sic el cristal de semilla JDZJ01-001-005 S califica 6" el grado φ153±0.5mm de S

Sic el cristal de semilla JDZJ01-001-005 S califica 6" el grado φ153±0.5mm de S
Sic el cristal de semilla JDZJ01-001-005 S califica 6" el grado φ153±0.5mm de S

Ampliación de imagen :  Sic el cristal de semilla JDZJ01-001-005 S califica 6" el grado φ153±0.5mm de S

Datos del producto:
Número de modelo: JDZJ01-001-005
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Empaquetado en una sala limpia en un contenedor de semillas individuales
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana

Sic el cristal de semilla JDZJ01-001-005 S califica 6" el grado φ153±0.5mm de S

descripción
Deformación (μm): ≤50μm Diámetro: 153±0,5 mm
Grueso: 500±50mm Arco: ≤50μm
Orientación cristalina: 4°off-axis toward<11-20>±0.5° Longitud del borde de posicionamiento principal: 18,0±2,0
Resaltar:

Cristales de semillas de SiC de grado S

,

φ153±0

,

5 mm Cristal de semillas de SiC

Sic grado 6" del cristal de semilla S grado φ153±0.5mm de S

Sic está un conductor termal excelente. El calor fluirá más fácilmente a través sic que otros materiales del semiconductor. De hecho, en la temperatura ambiente, sic tiene una conductividad termal más alta que cualquier metal. Esta propiedad permite sic a los dispositivos actuar en extremadamente los niveles de poder más elevado y todavía disipar una gran cantidad del exceso de calor generado.

Grado Nivel S Nivel S
Especificaciones del cristal de semilla 6" sic 6" sic
Diámetro (milímetros) 153±0.5 155±0.5
Grueso (μm) 500±50 500±50
Arco (μm) ≤50 ≤50
Deformación (μm) ≤50 ≤50
Orientación cristalina 4°off-axis toward±0.5°<11-20> 4°off-axis toward±0.5°<11-20>
Longitud de colocación principal del borde 18.0±2.0 18.0±2.0
Longitud del dege de Subposition 8.0±2.0 8.0±2.0
Colocación de la dirección del borde

Cara del Si: gire a la derecha a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5°

Cara de C: gire a la izquierda a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5°

Cara del Si: gire a la derecha a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5°

Cara de C: gire a la izquierda a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5°

Resistencia 0.01~0.04Ω·cm 0.01~0.04Ω·cm
Aspereza superficial DSP, cara Ra≤1.0nm de C DSP, cara Ra≤1.0nm de C
Solo diámetro cristalino de la zona (milímetros) ≥150mm ≥152mm
Densidad del Microtubule ≤0.5/cm2 ≤0.5/cm2
Lado del hundimiento ≤2mm ≤2mm
Método de empaquetado Embalaje de la pieza única Embalaje de la pieza única
Observación: La sola zona cristalina refiere al área sin la grieta y el polytype.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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