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Datos del producto:
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| politipo: | 4h | Diámetro: | 105±0,5 mm |
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| Grueso: | 500±50μm | TTV: | ≤15μm |
| Arco (μm) /Warp (μm): | ≤45 | Orientación cristalina: | 4°off-axis toward<11-20>±0.5° |
| Resaltar: | 6 pulgadas de SiC semilla cristal |
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JDZJ01-001-008 Cristal de semilla SiC de 4 y 6 pulgadas
Las propiedades físicas y electrónicas del SiC lo convierten en el principal material semiconductor para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de longitud de onda corta, alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia/alta frecuencia.
El SiC puede soportar un gradiente de voltaje (o campo eléctrico) más de ocho veces mayor que el Si o el GaAs sin sufrir una ruptura por avalancha.Este campo eléctrico de alta ruptura permite la fabricación de dispositivos de muy alto voltaje y alta potencia, como diodos, transitores de potencia, tiristores de potencia y supresores de sobretensiones, así como dispositivos de microondas de alta potencia.Además, permite que los dispositivos se coloquen muy juntos, proporcionando una alta densidad de empaquetamiento de dispositivos para circuitos integrados.
| Cristal semilla SiC de 4 y 6 pulgadas | ||
| Calificación | nivel S | nivel S |
| Especificaciones del cristal semilla | 6”SiC | 6”SiC |
| Diámetro (mm) | 105±0.5 | 153±0,5 |
| Espesor (μm) | 500±50 | 350±20 o 500±50 |
| TTV (μm) | ≤15 | ≤15 |
| Arco (μm)/Deformación (μm) | ≤45 | ≤60 |
| Orientación de cristal | 4° fuera del eje hacia<11-20>±0,5° | 4° fuera del eje hacia<11-20>±0,5° |
| Longitud del borde de posicionamiento principal | 32,5±2,0 | 18,0±2,0 |
| Longitud de grados de subposición | 18,0±2,0 | 6,0±2,0 |
| Dirección del borde de posicionamiento |
Cara Si: gire en el sentido de las agujas del reloj a lo largo del lado de posicionamiento principal: 90 ° ± 5 ° Cara C: gire en sentido contrario a las agujas del reloj a lo largo del lado de posicionamiento principal: 90 ° ± 5 ° |
Cara Si: gire en el sentido de las agujas del reloj a lo largo del lado de posicionamiento principal: 90 ° ± 5 ° Cara C: gire en sentido contrario a las agujas del reloj a lo largo del lado de posicionamiento principal: 90 ° ± 5 ° |
| Resistividad | 0,01~0,028Ω·cm | 0,01~0,028Ω·cm |
| Rugosidad de la superficie | SSP, pulido facial C, Ra≤1.0nm | DSP, cara C Ra≤1.0nm |
| Diámetro de la zona de cristal único (mm) | ≥102 mm | ≥150 mm |
| Densidad de microtúbulos | ≤1/cm2 | ≤1/cm2 |
| Colapsar lado | ≤1 mm | ≤2 mm |
| método de embalaje | Embalaje de una sola pieza | Embalaje de una sola pieza |
| Observación: la zona de cristal único se refiere al área sin grietas ni politipo. | ||
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
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Somos fábrica.
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Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
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