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Oblea sic epitaxial

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Sustrato 350um 4H SiC

Sic tipo substrato de N

oblea sic epitaxial 6inch

CHINA Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Orientación superficial:De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5

Longitud plana primaria:± 1.5m m de 47.5m m
Sustrato SiC de 2 pulgadas de 350 μm para electrónica de potencia exigente

Crystal Form:4h

Nombre de producto:especificación del substrato del carburo del diameterSilicon 2inch (sic)

Diámetro:50.8mm±0.38m m
0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm

Nombre de producto:especificación del substrato del carburo de silicio de 6 pulgadas de diámetro (sic)

Orientación plana primaria:{10-10} ±5.0°

Crystal Form:4h
Sin sustrato de SiC plano secundario 150,0 mm 47,5 mm

Crystal Form:4h

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm
Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Longitud plana primaria:± 1.5m m de 47.5m m

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm
nivel P del sustrato de carburo de silicio de 260 μm para dispositivos de potencia y dispositivos de microondas

Crystal Form:4h

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Orientación superficial:De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5
P MOS Grade 2 avanza lentamente sic el SBD del nivel P P de la oblea de Epi califica el grado 150.0m m de D

Crystal Form:4h

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm
4H oblea sic epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Crystal Form:4h

Polytype:Ningunos permitieron
Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder

Crystal Form:4h

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm
Sustrato epitaxial de la oblea de SiC de la oblea de 4H SiC para los dispositivos fotónicos ISO9001

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Crystal Form:4h

Diámetro:150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario

Crystal Form:4h

Contaminación de superficies metálicas:(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm⁻²

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

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Oblea sic epitaxial

Sustrato 350um 4H SiC

Sic tipo substrato de N

oblea sic epitaxial 6inch

CHINA Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Sustrato SiC de 2 pulgadas de 350 μm para electrónica de potencia exigente

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm

Sin sustrato de SiC plano secundario 150,0 mm 47,5 mm

Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D

nivel P del sustrato de carburo de silicio de 260 μm para dispositivos de potencia y dispositivos de microondas

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal

P MOS Grade 2 avanza lentamente sic el SBD del nivel P P de la oblea de Epi califica el grado 150.0m m de D

4H oblea sic epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm

Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder

Sustrato epitaxial de la oblea de SiC de la oblea de 4H SiC para los dispositivos fotónicos ISO9001

Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal