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Oblea sic epitaxial

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Sustrato 350um 4H SiC

Sic tipo substrato de N

oblea sic epitaxial 6inch

CHINA Oblea sic epitaxial

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Crystal Form:4h

Final superficial:C-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP
Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Crystal Form:4h

Diámetro:100,0 mm+0,0/-0,5 mm
Dispositivo de potencia de 2 pulgadas Transistor de alta movilidad de electrones Wafer epitaxial

Las dimensiones:2 pulgadas

Resistencia ((300K):< 350 Ω/□

Concentración de electrones:Se aplican las condiciones siguientes:
2 pulgadas GaN en la oblea de silicio HEMT Epi para el dispositivo de energía

Las dimensiones:2 pulgadas

Resistencia ((300K):< 350 Ω/□

Concentración de electrones:Se aplican las condiciones siguientes:
6 pulgadas GaN en silicio HEMT Epi Wafer dispositivo de alimentación Nitruro de galio GaN en Si

Las dimensiones:6 pulgadas

Resistencia ((300K):< 350 Ω/□

Concentración de electrones:> 9,0E12 cm-2
LED azul GaN en oblea de silicio Oblea epitaxial láser azul GaN

Dimensión:2 a 4 pulgadas

Cantidad de orden mínima:5

Detalles de empaquetado:Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en el envase 25PCS, bajo atmósfera del
2 pulgadas de GaN en el silicio verde LED Epi wafer Nitruro de galio en el silicio

Dimensión:2 pulgadas

Cantidad de orden mínima:5

Detalles de empaquetado:Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en el envase 25PCS, bajo atmósfera del
2 pulgadas de GaN en el silicio azul LD Epi oblea GaN láser azul en el silicio

Dimensión:2 pulgadas

Cantidad de orden mínima:5

Detalles de empaquetado:Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en el envase 25PCS, bajo atmósfera del
GaN láser violeta en el silicio 2 pulgadas GaN en el silicio HEMT Epi oblea UV LD Epi oblea

Las dimensiones:2 pulgadas

EQE:No se sabe

Pérdida interna:desconocido
Barrera de AlGaN 4 pulgadas de GaN en la oblea de silicio HEMT Epi de nitruro de galio GaN-en-Si

Las dimensiones:2 pulgadas

Resistencia ((300K):< 350 Ω/□

Concentración de electrones:> 9,0E12 cm-2
4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio

Dimensión:4inch

Bicristalino002:< 550 segundos de arco

Bicristalino102:< 550 segundos de arco
4 pulgadas de GaN en el silicona verde LED Epi oblea SiC oblea epitaxial

Cantidad de orden mínima:5

Precio:1000

Detalles de empaquetado:Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en el envase 25PCS, bajo atmósfera del

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Oblea sic epitaxial

Sustrato 350um 4H SiC

Sic tipo substrato de N

oblea sic epitaxial 6inch

CHINA Oblea sic epitaxial

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm

Dispositivo de potencia de 2 pulgadas Transistor de alta movilidad de electrones Wafer epitaxial

2 pulgadas GaN en la oblea de silicio HEMT Epi para el dispositivo de energía

6 pulgadas GaN en silicio HEMT Epi Wafer dispositivo de alimentación Nitruro de galio GaN en Si

LED azul GaN en oblea de silicio Oblea epitaxial láser azul GaN

2 pulgadas de GaN en el silicio verde LED Epi wafer Nitruro de galio en el silicio

2 pulgadas de GaN en el silicio azul LD Epi oblea GaN láser azul en el silicio

GaN láser violeta en el silicio 2 pulgadas GaN en el silicio HEMT Epi oblea UV LD Epi oblea

Barrera de AlGaN 4 pulgadas de GaN en la oblea de silicio HEMT Epi de nitruro de galio GaN-en-Si

4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio

4 pulgadas de GaN en el silicona verde LED Epi oblea SiC oblea epitaxial

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal