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sic epitaxial wafer c face fabricación en línea

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Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario
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2022-10-24 10:26:17

nivel P del sustrato de carburo de silicio de 260 μm para dispositivos de potencia y dispositivos de microondas
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2024-10-29 11:49:58

4 pulgadas de 4H-SiC Substrato P-Nivel SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistencia≥1E9Ω·Cm para microondas de potencia
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2025-04-27 11:43:50

Sustrato semiaislante de oblea SiC de 150 mm y 4H, 6 pulgadas, 350 μm
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2022-10-24 10:22:12

Sin sustrato de SiC plano secundario 150,0 mm 47,5 mm
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2022-10-24 10:24:09

4 pulgadas 4H-SiC Substrato de nivel P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistividad≥1E5Ω·cm Para microondas de potencia
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2025-04-27 11:43:50

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm
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2025-04-04 22:43:25

Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder
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2022-10-24 10:25:55

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF
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2025-04-04 22:43:44

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal