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2024-10-14 17:06:30
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2022-10-09 16:57:57
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2022-10-09 16:57:15
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2022-10-24 10:23:04
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2022-10-24 10:26:17
comprar N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm en línea fabricante

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2022-10-24 10:22:34
comprar Sustrato semiaislante de oblea SiC de 150 mm y 4H, 6 pulgadas, 350 μm en línea fabricante

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2022-10-24 10:22:12
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2025-04-04 22:43:25
comprar 6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um en línea fabricante

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2022-10-24 10:21:10
comprar Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate en línea fabricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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