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2022-09-27 16:54:31
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2024-12-06 17:48:43
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2024-12-06 17:40:06
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2024-10-29 11:49:57
comprar 6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm en línea fabricante

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2022-10-24 10:23:04
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2024-12-06 17:33:44
comprar 6 pulgadas GaN en silicio HEMT Epi Wafer dispositivo de alimentación Nitruro de galio GaN en Si en línea fabricante

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2024-12-06 17:38:23
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2024-12-06 17:35:32
comprar 4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm en línea fabricante

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2024-10-29 11:49:58
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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