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Datos del producto:
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| Dimensiones: | ² de 5 x de 10m m | Grueso: | 350 ±25µm |
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| TTV: | ≤ el 10µm | Arco: | - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm |
| Densidad macra del defecto: | ² 0cm⁻ | Nombre de producto: | GaN Epitaxial Wafer |
| Resaltar: | Substrato de cristal único de láser GaN |
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n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la M-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0="">
Descripción
Estas obleas de GaN realizan los diodos láser ultra-brillantes sin precedentes y los dispositivos de poder de gran eficacia para el uso en fuentes de luz del proyector, inversores para los vehículos eléctricos, y otros usos.
Las características son alta uniformidad cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para los usos del LD (violeta, azul y verde).
| M hace frente a los substratos libres de GaN | ||||
| Artículo |
GAN-FS-M-U-s
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GAN-FS-M-n-s
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GAN-FS-M-SI-s |
Observaciones: Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm=""> |
| Dimensiones | 5 x 10 milímetros2 | |||
| Grueso | µm 350 ±25 | |||
| Orientación |
Avión de M (1 - 100) del ángulo hacia Uno-AXIS 0 ±0.5° Avión de M (1 - 100) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2° |
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| Tipo de la conducción | N-tipo | N-tipo | Semiaislante | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm del ≤ 10 | |||
| ARCO | - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm | |||
| Front Surface Roughness |
< 0=""> o < 0=""> |
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| Aspereza superficial trasera |
0,5 μm ~1,5 opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0=""> |
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| Densidad de dislocación | A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s | |||
| Densidad macra del defecto | 0 cm2s | |||
| Área usable | > el 90% (exclusión del borde) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo del miscut
Si el grado ±0.5 del δ1 = 0, después el avión de M (1 - 100) del ángulo hacia Uno-AXIS es 0 grados ±0.5.
Si δ2 = - 1 grado ±0.2, después el avión de M (1 - 100) del ángulo hacia C-AXIS es - 1 grado ±0.2.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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