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Sustratos de GaN independientes de cara M de oblea epitaxial de GaN sin dopar
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2023-02-17 10:52:50

10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
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2025-04-27 11:43:50

Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes
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2025-04-04 22:43:28

Una cara GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas
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2024-10-14 17:06:30

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46

10 X 10,5 mm2 C Caracter no dopado N Tipo libre de pie GaN Substrato de cristal único
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2025-04-27 11:43:50

Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M
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2025-04-27 11:43:51

TTV ≤ 10μm Cara A sin dopado tipo N independiente GaN de sustrato de cristal único Resistividad 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/Láser W
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2025-04-27 11:43:51

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal