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Sustratos de GaN independientes de 10 X 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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Sustratos de GaN independientes de 10 X 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Sustratos de GaN independientes de 10 X 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Sustratos de GaN independientes de 10 X 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Ampliación de imagen :  Sustratos de GaN independientes de 10 X 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD01-001-001
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000pcs/Month

Sustratos de GaN independientes de 10 X 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

descripción
Nombre de producto: GaN Epitaxial Wafer Dimensiones: 10x10,5 mm²
Grueso: 350 ±25µm Orientación: Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
TTV: ≤ el 10µm Arco: - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm

10*10,5 mm² C-face Sustrato monocristalino de GaN independiente tipo n no dopado Resistividad < 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/láser

 

 

Aplicaciones

Diodos láser: LD violeta, LD azul y LD verde
Dispositivos electrónicos de potencia, Dispositivos electrónicos de alta frecuencia

 

Más de 10 años de experiencia en tecnología de fabricación de obleas con sustratos de GaAs se han aplicado a la producción de sustratos de GaN.El sustrato de GaN tiene una orientación superficial controlada, libre de daños, muy plana (Rms < 0,2 nm), y superficies de pasos atómicos controlados.Se ha logrado una calidad superficial adecuada para el crecimiento epitaxial.

 

 

Sustratos de GaN independientes de 10 x 10,5 mm2
Artículo GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

Sustratos de GaN independientes de 10 X 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm 0

Observaciones:
Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la cara Ga y N.

Dimensiones 10x10,5mm2
Espesor 350 ±25 micras
Orientación Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
Tipo de conducción tipo N tipo N Semiaislante
Resistividad (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
Arco - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie de la cara Ga < 0,2 nm (pulido)
o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 ~ 1,5 micras
opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)
Densidad de dislocación Desde 1x105a 3 x 106cm-2(calculado por CL)*
Densidad de macrodefectos 0cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

*Estándares nacionales de China (GB/T32282-2015)

 

 

Sustratos de GaN independientes de 10 X 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm 1

 

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

 

 

Preguntas más frecuentes

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Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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