Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

Name: Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-001
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

Ampliación de imagen : Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

Datos del producto:

Lugar de origen:	Suzhou China
Nombre de la marca:	GaNova
Certificación:	UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo:	JDCD01-001-001

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado:	Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega:	3-4 días de la semana
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	10000pcs/Month

Contacto

Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

descripción

Nombre de producto:	GaN Substrates libre	Dimensiones:	10x10,5 mm²
Grueso:	350 ±25µm	TTV:	≤ el 10µm
Arco:	- ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm	Área usable:	> el 90% (exclusión del borde)
Resaltar:	Substratos de GaN de 350 ± 25 μm , 10 X 10

10*10,5 mm² C-face Sustrato monocristalino de GaN independiente tipo n no dopado Resistividad < 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/láser

Descripción general

Sustratos de GaN

Sustratos y obleas de GaN (nitruro de galio) de alta calidad (baja densidad de dislocaciones) y los mejores precios del mercado.

Sustratos de cristal de GaN independientes de primera calidad con baja densidad de dislocaciones (del orden de 105 /cm²) y superficie uniforme sin defectos periódicos.Estos cristales de nitruro de galio de alta calidad tienen un área utilizable de más del 90 %.Las opciones incluyen: tipo N, tipo P, semiaislante, plano C, plano M, plano A.Tamaños de hasta 2 pulgadas de diámetro.

Vendemos directamente de fábrica y, por lo tanto, podemos ofrecer los mejores precios del mercado para sustratos de cristal de GaN de alta calidad.

Sustratos de GaN independientes de 10 x 10,5 mm2
Artículo	GaN-FS-CU-S10	GaN-FS-CN-S10	GaN-FS-C-SI-S10	Observaciones: Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la cara Ga y N.
Dimensiones	10x10,5mm²
Espesor	350 ±25 micras
Orientación	Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
Tipo de conducción	tipo N	tipo N	Semiaislante
Resistividad (300K)	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 10⁶Ω·cm
TTV	≤ 10 micras
Arco	- 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie de la cara Ga	< 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)


Rugosidad de la superficie de la cara N	0,5 ~ 1,5 micras opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)


Densidad de dislocación	De 1 x 105 a 3 x 106 cm-2 (calculado por CL)*
Densidad de macrodefectos	0cm^-2
Área utilizable	> 90% (exclusión de bordes)
Paquete	Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

*Estándares nacionales de China (GB/T32282-2015)

Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes 1

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

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Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

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