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Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes
Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

Ampliación de imagen :  Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD01-001-001
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000pcs/Month

Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

descripción
Nombre de producto: GaN Substrates libre Dimensiones: 10x10,5 mm²
Grueso: 350 ±25µm TTV: ≤ el 10µm
Arco: - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm Área usable: > el 90% (exclusión del borde)
Resaltar:

Substratos de GaN de 350 ± 25 μm

,

10 X 10

10*10,5 mm² C-face Sustrato monocristalino de GaN independiente tipo n no dopado Resistividad < 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/láser

 


Descripción general

Sustratos de GaN

Sustratos y obleas de GaN (nitruro de galio) de alta calidad (baja densidad de dislocaciones) y los mejores precios del mercado.

Sustratos de cristal de GaN independientes de primera calidad con baja densidad de dislocaciones (del orden de 105 /cm2) y superficie uniforme sin defectos periódicos.Estos cristales de nitruro de galio de alta calidad tienen un área utilizable de más del 90 %.Las opciones incluyen: tipo N, tipo P, semiaislante, plano C, plano M, plano A.Tamaños de hasta 2 pulgadas de diámetro.

Vendemos directamente de fábrica y, por lo tanto, podemos ofrecer los mejores precios del mercado para sustratos de cristal de GaN de alta calidad.

 

Sustratos de GaN independientes de 10 x 10,5 mm2
Artículo GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes 0

Observaciones:
Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la cara Ga y N.

Dimensiones 10x10,5mm2
Espesor 350 ±25 micras
Orientación Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
Tipo de conducción tipo N tipo N Semiaislante
Resistividad (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
Arco - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie de la cara Ga < 0,2 nm (pulido)
o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 ~ 1,5 micras
opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)
Densidad de dislocación De 1 x 105 a 3 x 106 cm-2 (calculado por CL)*
Densidad de macrodefectos 0cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

*Estándares nacionales de China (GB/T32282-2015)

 

 

Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes 1

 

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

 

 

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
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Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
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Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
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Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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