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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Sustrato de GaN | Dimensiones: | 5x10,5 mm² |
|---|---|---|---|
| Grueso: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ el 10µm |
| Arco: | - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm | Densidad macra del defecto: | ² 0cm⁻ |
| Resaltar: | M Face GaN Epitaxial Wafer,GaN Substrates TTV 10um,GaN Epitaxial Wafer 325um |
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n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la M-cara 5*10.5mm2 del substrato de GaN < 0="">
Descripción
El substrato del nitruro del galio (GaN) es un substrato monocristal de alta calidad. Se hace con método de HVPE y la tecnología de proceso originales de la oblea, que se ha desarrollado originalmente durante muchos años. Las características son alta uniformidad cristalina, buena, y calidad superficial superior.
El nitruro del galio es una tecnología de semiconductor usada para el poder más elevado, usos de alta frecuencia del semiconductor. El nitruro del galio exhibe varias características que hagan mejor que el GaAs y el silicio para los diversos componentes del poder más elevado. Estas características incluyen un voltaje de avería más alto y una mejor resistencia eléctrica.
| M hace frente a los substratos libres de GaN | ||||
| Artículo |
GAN-FS-M-U-s
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GAN-FS-M-n-s
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GAN-FS-M-SI-s |
Observaciones: Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm=""> |
| Dimensiones | 5 x 10 milímetros2 | |||
| Grueso | µm 350 ±25 | |||
| Orientación |
Avión de M (1 - 100) del ángulo hacia Uno-AXIS 0 ±0.5° Avión de M (1 - 100) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2° |
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| Tipo de la conducción | N-tipo | N-tipo | Semiaislante | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm del ≤ 10 | |||
| ARCO | - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm | |||
| Front Surface Roughness |
< 0=""> o < 0=""> |
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| Aspereza superficial trasera |
0,5 μm ~1,5 opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0=""> |
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| Densidad de dislocación | A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s | |||
| Densidad macra del defecto | 0 cm2s | |||
| Área usable | > el 90% (exclusión del borde) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo del miscut
Si el grado ±0.5 del δ1 = 0, después el avión de M (1 - 100) del ángulo hacia Uno-AXIS es 0 grados ±0.5.
Si δ2 = - 1 grado ±0.2, después el avión de M (1 - 100) del ángulo hacia C-AXIS es - 1 grado ±0.2.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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