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2022-10-08 17:22:16
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2024-10-29 11:49:57
comprar Oblea semiconductora de nitruro de galio monocristalino TTV 10um en línea fabricante

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2024-10-29 11:49:57
comprar Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI en línea fabricante

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2022-10-08 15:51:24
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2024-12-06 17:44:01
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2022-10-09 10:30:43
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2024-10-29 11:49:58
comprar Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN en línea fabricante

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2024-11-18 19:17:19
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2024-12-06 17:35:32
comprar 4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio en línea fabricante

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2024-12-06 17:33:43
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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