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2024-12-06 17:47:04
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2024-12-06 17:42:36
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2022-10-08 17:04:46
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2022-09-27 16:57:06
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2024-10-29 11:49:57
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2025-04-04 22:43:43
comprar 10x15mm2 UID dopado independiente Ga2O3 Wafer solo pulido en línea fabricante

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2022-09-27 16:57:32
comprar 100m m 4 avanzan lentamente el grueso azul 5um - 6um del LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP en línea fabricante

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2022-10-08 17:07:51
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2024-10-29 11:49:58
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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