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gallium nitride semiconductor wafer fabricación en línea

(35)

Oblea solo Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6m m a 0.8m m
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2023-02-17 14:17:37

laser MG-dopado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2025-04-04 22:43:47

2 pulgadas de LED verde GaN en la oblea de silicio Dimensión 520 ± 10nm
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2025-04-27 11:43:50

Capa de la dimensión 520±10nm 2inch Verde-LED GaN On Silicon Wafer 20nmContact
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2025-04-04 22:43:39

Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Oblea epitaxial 2 pulgadas 4 pulgadas
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2023-02-17 14:34:04

Situación libre libre del sustrato 10x10mm2 del solo cristal de la oblea dopada con Fe Ga2O3
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2022-10-09 10:34:19

0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing
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2024-10-29 11:49:58

Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35

10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer
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2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado en pie libre Ga2O3 Substrato de cristal único Calidad de producto Polido único
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2025-04-27 11:43:51

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal