2 pulgadas de LED verde GaN en la oblea de silicio Dimensión 520 ± 10nm

Name: 2 pulgadas de LED verde GaN en la oblea de silicio Dimensión 520 ± 10nm
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDWY03-002-016
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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2 pulgadas de LED verde GaN en la oblea de silicio Dimensión 520 ± 10nm

Ampliación de imagen : 2 pulgadas de LED verde GaN en la oblea de silicio Dimensión 520 ± 10nm

Datos del producto:

Lugar de origen:	Suzhou China
Nombre de la marca:	GaNova
Certificación:	UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo:	JDWY03-002-016

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado:	Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega:	3-4 días de la semana
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	10000pcs/Month

Contacto

2 pulgadas de LED verde GaN en la oblea de silicio Dimensión 520 ± 10nm

descripción

Nombre de producto:	Verde-LED GaN en la oblea de silicio	Tamaño:	2 pulgadas 4 pulgadas
Estructura del substrato:	111) substratos de 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (	Dimensión:	520±10nm
Paquete:	Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en el envase 25PCS, bajo atmósfera del	MARCA:	GaNova
Resaltar:	2 pulgadas GaN en la oblea de silicio , LED verde GaN en la oblea de silicio , 520nm GaN en la oblea de silicio

GaN LED verde de 2 pulgadas en oblea de silicio

Descripción general

El nitruro de galio (GaN) está creando un cambio innovador en todo el mundo de la electrónica de potencia.Durante décadas, los MOSFET (transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal) basados en silicio han sido una parte integral del mundo moderno cotidiano que ayuda a convertir la energía en potencia.

Las redes antagónicas generativas (GAN) son arquitecturas algorítmicas que utilizan dos redes neuronales, enfrentando una contra la otra (por lo tanto, el "adversario") para generar nuevas instancias sintéticas de datos que pueden pasar por datos reales.Se utilizan ampliamente en la generación de imágenes, generación de video y generación de voz.

GaN LED verde de 2-4 pulgadas en silicio
Artículo Sustratos Si(111)		Tampón Al(Ga)N	Uganda	nGaN	MQW (1-3 pares)		AlGaN	pGaN	capa de contacto
					InGaN-QW	GaN-QB
Dimensiones		2 pulgadas, 4 pulgadas
		520±10nm
Espesor		800nm	1000 nm	3000 nm	~3nm	~10nm	35nm	145nm	20nm
Composición	Alabama%	/	/	/	/	/	~15	/	/
	En%	/	/	/	~25	/	/	/	/
dopaje	[Si]	/	/	8.0E+18	/	2.0E+17	/	/	/
	[mg]	/	/	/	/	/	1.0E+20	3.0E+19	2.0E+20
Estructura del sustrato		20nmCapa de contacto/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)sustratos
Paquete		Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 25PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

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