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Datos del producto:
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| Tipo de vehículo:: | Zafiro plano | Polonés: | Solo lado pulido (SSP)/lado doble pulido (DSP) |
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| Dimensión: | 50.8±0,2 mm (2 pulgadas)/100±0,2 mm ((4 pulgadas)/150 +0,2 mm (6 pulgadas) | orientación: | C plano (0001) ángulo de desviación hacia el eje M 0,2 + 0,1° |
| El grosor: | 430+25 mm (2 pulgadas)/660+25 mm (4 pulgadas)/1300 +25 mm (6 pulgadas) | Tipo de producto: | GaN en la oblea epitaxial de zafiro |
| Resaltar: | Producción de plaquetas de granito,Producción de plaquetas epitaxiales GaN,Fabricación de epinaquetas GaN |
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Descripción:
Las obleas epiaxiales se refieren a productos formados por el crecimiento de una nueva capa de cristal único en un solo sustrato de cristal.Las obleas epiaxiales determinan aproximadamente el 70% del rendimiento de los dispositivos y son materias primas importantes para los chips de semiconductoresLos fabricantes de obleas epiaxiales utilizan equipos de deposición de vapor químico (CVD), equipos de epitaxia de haz molecular (MBE), equipos de HVPE, etc.para cultivar cristales y producir obleas epitaxiales en materiales de sustratoLas obleas epitaxiales se fabrican en obleas a través de procesos tales como fotolitografía, deposición de película delgada y grabado.que pasan por procesos de envasado como la fijación del sustrato, instalación de capas de protección, conexión de alambre entre los pines del circuito del chip y los sustratos externos, así como pruebas de circuito, pruebas de rendimiento,y otros pasos de prueba para finalmente producir el chipEl proceso de producción del chip anterior necesita mantener la interacción con el proceso de diseño del chip para garantizar que el chip final cumpla con los requisitos de diseño del chip.
Basándose en el rendimiento del nitruro de galio, las obleas epitaxiales de nitruro de galio son principalmente adecuadas para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia, voltaje medio y bajo, reflejadas específicamente en:1) Largo ancho de banda: El ancho de banda elevado mejora el nivel de resistencia al voltaje de los dispositivos de nitruro de galio, que pueden producir una potencia superior a la de los dispositivos de arseniuro de galio,especialmente adecuado para estaciones base de comunicación 5G, radar militar y otros campos; 2) Alta eficiencia de conversión:La resistencia de conducción de los dispositivos electrónicos de interruptor de energía de nitruro de galio es tres órdenes de magnitud inferior a la de los dispositivos de silicio3) Alta conductividad térmica: La alta conductividad térmica del nitruro de galio le confiere un excelente rendimiento de disipación de calor,con un contenido de sodio en peso superior o igual a 10%, pero no superior a 10%4) Resistencia del campo eléctrico de descomposición: aunque la resistencia del campo eléctrico de descomposición del nitruro de galio es similar a la del nitruro de silicio,la tolerancia de voltaje de los dispositivos de nitruro de galio suele ser de alrededor de 1000V debido a factores como la tecnología de semiconductores y la falta de coincidencia de la red del material, y la tensión de funcionamiento segura es generalmente inferior a 650V
Las especificaciones:
| 2 a 6.pulgadas No dopado GaN/El safir Ofras | |||
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Substrato |
Tipo de producto | El zafiro plano |
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| Lengua polaca | Se aplicará el método de ensayo de la prueba de calidad. | ||
| Dimensión | 50.8 ±0,2 mm (2 pulgadas) /100 ±0,2 mm (4 pulgadas) /150 ±0,2 mm (6 pulgadas) | ||
| Orientación | el plano C (0001) con desvío de ángulo hacia el eje M 0,2 ± 0,1° | ||
| El grosor | Las mediciones de las emisiones de gases de efecto invernadero se realizarán en el momento de la emisión de los gases de efecto invernadero. | ||
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Equipoya |
Estructura | 4Se utilizará para la obtención de datos sobre el contenido de nitrógeno en el agua. | |
| Tipo de conducción | Tipo N | ||
| Espesor/día de nacimiento | 4.5 ± 0,5 μm/ < 3% | ||
| El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | < 0,5 nm | ||
| FWHM de XRD | (0002) < 300 segundos de arco, ((10-12) < 400 segundos de arco | ||
| Resistencia (300K) | < 0,5 Ω·cm | ||
| Movilidad | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es igual o superior a: | ||
| Concentración del portador | ≤ 1 × 1017 cm-3 | ||
| Área útil | > 90% (excluidos los defectos de borde y macro) | ||
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Paquete |
Envasado en un cuarto limpio en un solo recipiente de obleas |
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Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)
Teléfono: +8613372109561
