Un solo cristal Gan Epi Wafer Nitruro de galio Substrato 4 pulgadas

Introducción al sustrato GaN de cristal único de nitruro de galio dopado con hierro de 4 pulgadas
El sustrato GaN de cristal único de nitruro de galio dopado con hierro de 4 pulgadas es un sustrato de cristal único hecho de material de nitruro de galio (GaN), que mejora sus propiedades eléctricas mediante el dopado de elementos de hierro.El nitruro de galio (GaN) es un material semiconductor de banda ancha con una banda directa de 3.4 eV, lo que hace que sea ampliamente utilizado en dispositivos optoelectrónicos y electrónicos de potencia.

Proceso de preparación
El proceso para preparar un sustrato de cristal único de nitruro de galio dopado con hierro de 4 pulgadas incluye:
Tecnología MOCVD: utilizada para el cultivo de una capa de cristal único de nitruro de galio de alta calidad 4.
Tecnología de exfoliación láser: se utiliza para eliminar defectos en capas de cristal único y mejorar el rendimiento del sustrato.
Tecnología HVPE: utilizada para la producción a gran escala de sustratos de nitruro de galio para mejorar la eficiencia de la producción.
En resumen, el sustrato de cristal único de nitruro de galio dopado con hierro de 4 pulgadas es un material semiconductor de alto rendimiento con amplias perspectivas de aplicación,especialmente en los campos de la optoelectrónica y la electrónica de potencia.

Substratos de N-GaN de 2 pulgadas en pie libre
	Nivel de producción			RElelel aireh(R)	¡ Qué tonto!(D)	Nota: (1) 5 puntos: los ángulos de error de corte de 5 posiciones son 0,55 ± 0,15o (2) 3 puntos: los ángulos de error de corte de las posiciones (2, 4, 5) son 0,55 ± 0,15o (3) Área útil: exclusión de los defectos periféricos y macro (agujeros)
	P+	P	- ¿ Qué?
Punto de trabajo	Se aplicará el método siguiente:
Las dimensiones	50.0 ± 0,3 mm
El grosor	400 ± 30 μm
Piso de orientación	(1- 100) ± 0.1o,12.5 ± 1 mm
TTV	≤ 15 μm
- ¿Qué quieres decir?	≤ 20 μm
Resistencia (300K)	≤ 0,02 Ω·cm para el tipo N (dopado con Si)
Ga rugosidad de la superficie de la cara	≤ 0,3 nm (polido y tratamiento superficial para epitaxia)
N rugosidad de la superficie de la cara	0.5 ~ 1,5 μm (polido de un solo lado)
El plano C (0001) con ángulo fuera hacia el eje M (ángulos equivocados)	0.55 ± 0.1o (5 puntos)	0.55 ± 0.15o (5 puntos)		0.55 ± 0.15o (3 puntos)
Densidad de dislocación del roscado	≤ 7,5 x 105 cm2	≤ 3 x 106 cm2
Número y tamaño máximo de los agujeros en Ф47 mm en el centro	0		≤ 3@1000 μm	≤ 12@1500 μm	≤ 20@3000 μm
Área utilizable	> 90%			> 80%	> 70%
Paquete	Envasado en un cuarto limpio en un recipiente de una sola oblea