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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | substratos libres de 2 pulgadas de U-GaN/SI-GaN | Aspereza de superficie de la cara del GA: | < 0=""> |
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| Plano de la orientación: | ± 0.5˚, 16 ± 1m m (de 1-100) | Dimensiones: | 50,8 ± 1m m |
| Grueso: | 350 ± los 25μm | Plano secundario de la orientación: | ± 3˚, 8 ± 1m m (de 11-20) |
| Resaltar: | Oblea de semiconductor del nitruro del galio,substratos gan de 50.8m m,Oblea de semiconductor 2 pulgadas |
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± 50,8 1 milímetro de U-GaN/SI-GaN de ± libre de 2 pulgadas 0,5o, de los substratos (1-100) ± 16 1 milímetro
n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la C-cara 2inch del substrato de GaN < 0="">
Descripción
GaN Breakdown Field
Un campo más alto de la avería significa que el nitruro del galio es superior sobre el silicio en circuitos de alto voltaje tales como productos de alta potencia. Los fabricantes y los ingenieros pueden también utilizar GaN en usos similares del voltaje mientras que mantienen una huella perceptiblemente más pequeña.
| substratos libres de 2 pulgadas de U-GaN/SI-GaN | |||||||
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Nivel excelente (s) |
Nivel de la producción (A) |
Investigación nivel (b) |
Maniquí nivel (c) |
Nota: (1) área usable: borde y exclusión macra de los defectos (2) 3 puntos: el miscut pesca con caña de posiciones (2, 4, 5) son 0,35 ± 0,15o |
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| S1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Dimensiones | ± 50,8 1 milímetro | ||||||
| Grueso | 350 μm del ± 25 | ||||||
| Plano de la orientación | ± 0,5o, (de 1-100) ± 16 1 milímetro | ||||||
| Plano secundario de la orientación | ± 3o, (de 11-20) ± 8 1 milímetro | ||||||
| Resistencia (300K) |
< 0=""> o > 1 x 106 Ω·cm para semiaislante (FE-dopado; GaN-FS-C-SI-C50) |
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| TTV | μm del ≤ 15 | ||||||
| ARCO | μm del ≤ 40 del μm del ≤ 20 | ||||||
| Aspereza de superficie de la cara del GA |
< 0=""> o < 0=""> |
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| Aspereza de superficie de la cara de N |
0,5 μm ~1,5 opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0=""> |
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| Paquete | Empaquetado en un recinto limpio en solo envase de la oblea | ||||||
| Área usable | > el 90% | >el 80% | >el 70% | ||||
| Densidad de dislocación | <9>5 cm2s | <3x10>6 cm2s | <9>5 cm2s | <3x10>6 cm2s | <3x10>6 cm2s | ||
| Orientación: Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
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| Densidad macra del defecto (agujero) | 0 cm2s | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | ||||
| Tamaño máximo de defectos macros | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | ||||
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <>
>=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.
Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)
Teléfono: +8613372109561
