CHINA GaN Epitaxial Wafer

Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

Arco:- ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm
TTV ≤ 10μm Cara A sin dopado tipo N independiente GaN de sustrato de cristal único Resistividad 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/Láser W

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:µm 350 ±25

Orientación:Un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° A (11-20) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0
10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer

Dimensiones:10x10,5 mm²

Grueso:350 ±25µm

TTV:µm del ≤ 10
2 pulgadas de LED verde GaN en la oblea de silicio Dimensión 520 ± 10nm

Nombre de producto:Verde-LED GaN en la oblea de silicio

Tamaño:2 pulgadas 4 pulgadas

Estructura del substrato:111) substratos de 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
10 X 10,5 mm2 C Caracter no dopado N Tipo libre de pie GaN Substrato de cristal único

Nombre de producto:Solo substrato cristalino de GaN

Dimensiones:10x10,5 mm²

Grueso:350 ±25µm
10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Nombre de producto:GaN Epitaxial Wafer

Dimensiones:10x10,5 mm²

Grueso:350 ±25µm
GaN dopado con UID tipo N de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP>0,5 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN

Dimensiones:100 ± 0.2m m

Grueso/grueso STD:4,5 ± los 0.5μm/el < 3%

Orientación:Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje A 0,2 ± 0,1 °
GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial

Dimensiones:100 ± 0.2m m

Nombre de producto:4-inch MG-dopó GaN/Sapphire Substrates

Tipo de la conducción:P-tipo
laser MG-dopado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Nombre de producto:4-inch MG-dopó GaN/Sapphire Substrates

Dimensiones:100 ± 0.2m m

Tipo de la conducción:P-tipo
Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Dimensiones:50,8 ± 1m m

Grueso:350 ± los 25μm

Plano de la orientación:± 0.5˚, 16 ± 1m m (de 1-100)
laser 455±10nm de 2inch Azul-LED GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Nombre de producto:Azul-LED GaN On Silicon Wafer

Dimensiones:2 pulgadas

Grueso del almacenador intermediario de AlGaN:400-600nm
Capa de la dimensión 520±10nm 2inch Verde-LED GaN On Silicon Wafer 20nmContact

Nombre de producto:2-4inch Verde-LED GaN en el silicio

Tamaño:2 pulgadas, 4 pulgadas

Dimensión:520±10nm

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GaN Epitaxial Wafer

Solo substrato cristalino de GaN

Oblea epitaxial de GaN no dopada

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M

TTV ≤ 10μm Cara A sin dopado tipo N independiente GaN de sustrato de cristal único Resistividad 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/Láser W

10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer

2 pulgadas de LED verde GaN en la oblea de silicio Dimensión 520 ± 10nm

10 X 10,5 mm2 C Caracter no dopado N Tipo libre de pie GaN Substrato de cristal único

10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

GaN dopado con UID tipo N de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP>0,5 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN

GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial

laser MG-dopado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

laser 455±10nm de 2inch Azul-LED GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Capa de la dimensión 520±10nm 2inch Verde-LED GaN On Silicon Wafer 20nmContact

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal