CHINA GaN Epitaxial Wafer

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

Orientación:(10- 11) ángulo de desviación del plano hacia el eje A 0 ±0,5° (10- 11) ángulo de desviación del pla
n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

Orientación:Un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° A (11-20) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0
SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

Orientación:avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° (11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2
SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la Uno-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°

Dimensiones:10x10,5 mm²

Grueso:350 ±25µm

Orientación:Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

Nombre de producto:GaN Substrates libre

Dimensiones:10x10,5 mm²

Grueso:350 ±25µm
µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Nombre de producto:GaN Epitaxial Wafer

Dimensiones:10*10,5 mm²

Grueso:350 ±25µm
N-tipo GaN On Sapphire Wafer Si-dopado SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer de 4 pulgadas

Nombre de producto:Sustratos de zafiro/GaN dopado con silicio de 4 pulgadas

Grueso/grueso STD:4,5 ± los 0.5μm/< el 3%

Orientación:Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje A 0,2 ± 0,1 °
Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga < 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)

Nombre de producto:Solo substrato cristalino de GaN

Dimensiones:10x10,5 mm²

Grueso:350 ±25µm
AlGaN Buffer Espesor 600nm 2 pulgadas Blue-LED GaN en oblea de silicio

Dimensiones:2 pulgadas/4 pulgadas

Grueso del almacenador intermediario de AlGaN:600NM

Laser del d'onde del Longueur:455±10nm
2 ′′ 6 pulgadas tipo N GaN en zafiro oblea epitaxial para dispositivo PIN láser LED

Tipo de vehículo::Zafiro plano

Polonés:Solo lado pulido (SSP)/lado doble pulido (DSP)

Dimensión:50.8±0,2 mm (2 pulgadas)/100±0,2 mm ((4 pulgadas)/150 +0,2 mm (6 pulgadas)

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GaN Epitaxial Wafer

Solo substrato cristalino de GaN

Oblea epitaxial de GaN no dopada

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la Uno-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm

avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°

Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

N-tipo GaN On Sapphire Wafer Si-dopado SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer de 4 pulgadas

Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga < 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)

AlGaN Buffer Espesor 600nm 2 pulgadas Blue-LED GaN en oblea de silicio

2 ′′ 6 pulgadas tipo N GaN en zafiro oblea epitaxial para dispositivo PIN láser LED

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal