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Inicio ProductosGaN Epitaxial Wafer

GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial

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Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial

GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial
4 Inch P-Type Mg-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity~10Ω Cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer
GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial

Ampliación de imagen :  GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDWY03-001-024
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000pcs/Month
Contacto

GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial

descripción
Dimensiones: 100 ± 0.2m m Nombre de producto: 4-inch MG-dopó GaN/Sapphire Substrates
Tipo de la conducción: P-tipo Concentración de portador: > ³ del cm⁻ del ⁷ de 1 x 10 ¹ (que dopa la concentración de ³ del cm⁻ del ⁹ del ¹ del ≥ 5 x 10 de p+
Resistencia (300K): < 10=""> Movilidad: > ² /V de los 5cm·s
Resaltar:

Se trata de una muestra de las características de las células de la célula.

GaN dopado con Mg tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN

 

Las propiedades eléctricas del GaN dopado con Mg de tipo p se investigan a través de mediciones de efecto Hall de temperatura variable.Se prepararon muestras con un rango de concentraciones de dopaje con Mg mediante deposición en fase de vapor de sustancias químicas metalorgánicas.

 

Se observan una serie de fenómenos a medida que la densidad del dopante aumenta a los valores altos que normalmente se usan en aplicaciones de dispositivos: la profundidad de energía del aceptor efectivo disminuye de 190 a 112 meV, la conducción de impurezas a baja temperatura se vuelve más prominente, la relación de compensación aumenta y la la movilidad de la banda de valencia cae bruscamente.

 

Sustratos de zafiro/GaN dopado con magnesio de 4 pulgadas
Artículo GaN-TCP-C100

GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial 0
Dimensiones 100 ± 0,2 mm
Grosor/Grosor STD 4,5 ± 0,5 μm / < 3 %
Orientación Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje A 0,2 ± 0,1 °
Plano de Orientación de GaN (1-100) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm
Tipo de conducción tipo P
Resistividad (300K) < 10 Ω·cm
Concentración de portadores > 1x1017cm-3(concentración de dopaje de p+GaN ≥ 5 x 1019cm-3)
Movilidad > 5cm2/V·s
*XRD FWHM (0002) < 300 segundos de arco, (10-12) < 400 segundos de arco
Estructura

~ 0,5 μm p+GaN/~ 1,5 μm p-GaN /~ 2,5 μm uGaN /~ 25 nm uGaN

tampón/430 ± 25 μm zafiro
Orientación de Zafiro Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,2 ± 0,1 °
Plano de Orientación de Zafiro (11-20) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm
Pulido de zafiro Una cara pulida (SSP) / Doble cara pulida (DSP)
Área utilizable > 90% (exclusión de defectos de borde y macro)
Paquete

Envasado en sala blanca en contenedores:

caja de oblea individual (< 3 PCS) o casete (≥ 3 PCS)

 

 

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

 

 

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

etiqueta:

Oblea de semiconductor del nitruro del galio,

Situación libre GaN Substrates,

LED azul GaN Epitaxial Wafer

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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