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GaN Epitaxial Wafer

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Solo substrato cristalino de GaN

Oblea epitaxial de GaN no dopada

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer On Doped Si Tipo Gan Sustrato monocristalino

Nombre de producto:GaN Single Crystal Substrate libre

Dimensiones:² de 5 x10mm

Grueso:350 ±25µm
Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

Nombre de producto:M Face Free-Standing GaN Substrates

Dimensiones:5x10,5 mm²

Grueso:350 ±25µm
M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

Nombre de producto:Sustrato de GaN

Dimensiones:5x10,5 mm²

Grueso:350 ±25µm
La O.N.U dopó el tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N

Nombre de producto:Solo substrato cristalino de GaN

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm
Sustratos de GaN independientes de cara M de oblea epitaxial de GaN sin dopar

Nombre de producto:GaN Substrate libre

Dimensiones:5 x 10 milímetros de ²

Grueso:350 ±25µm
Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente

Nombre de producto:Solo substrato cristalino de GaN

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm
Grosor de oblea epitaxial de 5 x 10 mm2 M Face GaN 325um 375um

Nombre de producto:Sustrato de GaN

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm
Oblea semiconductora de nitruro de galio monocristalino TTV 10um

Dimensiones:5 x 10 milímetros de ²

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
Una cara GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates

Nombre de producto:Una cara GaN Substrates libre

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm
Pulgada GaN Epi Wafer Dimensions del grueso 370um 430um 2 50m m

Nombre de producto:substratos libres de 2 pulgadas de N-GaN

Arco:≤ los 20μm

Plano de la orientación:(1 - 100) ±0.1˚, ± 12,5 1m m
625um 675um 4 al zafiro plano azul de la pulgada LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Nombre de producto:azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED

Tipo:Zafiro plano

Grueso:650 ± los 25μm
zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

Nombre de producto:azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED

Grueso:650 ± los 25μm

Tipo:Zafiro plano

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CHINA GaN Epitaxial Wafer

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer On Doped Si Tipo Gan Sustrato monocristalino

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

La O.N.U dopó el tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N

Sustratos de GaN independientes de cara M de oblea epitaxial de GaN sin dopar

Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente

Grosor de oblea epitaxial de 5 x 10 mm2 M Face GaN 325um 375um

Oblea semiconductora de nitruro de galio monocristalino TTV 10um

Una cara GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates

Pulgada GaN Epi Wafer Dimensions del grueso 370um 430um 2 50m m

625um 675um 4 al zafiro plano azul de la pulgada LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal