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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Solo substrato cristalino de GaN | Dimensiones: | ² de 5 x de 10m m |
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| Grueso: | 350 ±25µm | Arco: | - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm |
| Densidad macra del defecto: | ² 0cm⁻ | Densidad de dislocación: | A partir del ⁵ la 1 x 10 al ² del cm⁻ de 3 x 10 ⁶ |
| Resaltar: | Oblea de nitruro de galio GaN,sustratos de 375um gan,oblea de nitruro de galio 325um |
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5*10,5mm2Espesor de sustratos de GaN independientes de cara M 350 ±25 µm
5*10,5mm2Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI sin dopar de cara M Resistividad > 106Oblea de dispositivos RF de Ω·cm
El sustrato de GaN independiente tiene un gran potencial para la homoepitaxia de dispositivos optoelectrónicos y electrónicos con alta confiabilidad y rendimiento.Aquí, nos dimos cuenta del crecimiento de GaN a granel independiente en grafeno multicapa de doble pila como una capa de inserción mediante el método de epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE).
| METRO Fas Free-calleyinortegramo GRAMOanorte Subcallereal academia de bellas artestmis | ||||
| Artículo |
GaN-FS-MUS
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GaN-FS-MNS
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GaN-FS-M-SI-S |
Observaciones: Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la superficie delantera y la trasera. |
| Dimensiones | 5x10mm2 | |||
| Espesor | 350 ±25 micras | |||
| Orientación |
Plano M (1- 100) fuera de ángulo hacia el eje A 0 ±0,5° Plano M (1- 100) fuera del ángulo hacia el eje C - 1 ±0,2° |
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| Tipo de conducción | tipo N | tipo N | Semiaislante | |
| Resistividad (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 micras | |||
| ARCO | - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm | |||
| Rugosidad de la superficie frontal |
< 0,2 nm (pulido); o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) |
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| Rugosidad de la superficie trasera |
0,5 ~ 1,5 micras opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido) |
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| Densidad de dislocación | Desde 1x105a 3 x 106cm-2 | |||
| Densidad de macrodefectos | 0cm-2 | |||
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo de corte incorrecto
Si δ1= 0 ±0,5 grados, entonces el plano M (1-100) fuera del ángulo hacia el eje A es 0 ±0,5 grados.
Si δ2= - 1 ±0,2 grados, luego el plano M (1- 100) fuera del ángulo hacia el eje C es - 1 ±0,2 grados.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
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