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GaN Epitaxial Wafer

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Solo substrato cristalino de GaN

Oblea epitaxial de GaN no dopada

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Zafiro plano Oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas en Sapphire SSP

Nombre de producto:azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED

Grueso:650 ± los 25μm

Orientación:Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,2 ± 0.1°
Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um

Nombre de producto:substratos libres de 2 pulgadas de N-GaN

Dimensiones:50,0 ±0.3mm

Artículo:GaN-FS-C-N-C50-SSP
100m m 4 avanzan lentamente el grueso azul 5um - 6um del LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Tipo:Zafiro plano

Nombre de producto:azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED

Polaco:Solo lado pulido (SSP)/lado doble pulido (DSP)
12.5m m 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped

Nombre de producto:substratos libres de 2 pulgadas de N-GaN

Dimensiones:50,0 ±0.3mm

Grueso:400 ± los 30μm
Zafiro plano de oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas C

Tipo:Zafiro plano

Nombre de producto:azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED

Polaco:Solo lado pulido (SSP)/lado doble pulido (DSP)
Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar

Nombre de producto:Solo substrato cristalino de GaN

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm
GaN dopado con UID tipo N de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP>0,5 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN

Dimensiones:100 ± 0.2m m

Grueso/grueso STD:4,5 ± los 0.5μm/el < 3%

Orientación:Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje A 0,2 ± 0,1 °
GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial

Dimensiones:100 ± 0.2m m

Nombre de producto:4-inch MG-dopó GaN/Sapphire Substrates

Tipo de la conducción:P-tipo
laser MG-dopado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Nombre de producto:4-inch MG-dopó GaN/Sapphire Substrates

Dimensiones:100 ± 0.2m m

Tipo de la conducción:P-tipo
Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Dimensiones:50,8 ± 1m m

Grueso:350 ± los 25μm

Plano de la orientación:± 0.5˚, 16 ± 1m m (de 1-100)
laser 455±10nm de 2inch Azul-LED GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Nombre de producto:Azul-LED GaN On Silicon Wafer

Dimensiones:2 pulgadas

Grueso del almacenador intermediario de AlGaN:400-600nm
Capa de la dimensión 520±10nm 2inch Verde-LED GaN On Silicon Wafer 20nmContact

Nombre de producto:2-4inch Verde-LED GaN en el silicio

Tamaño:2 pulgadas, 4 pulgadas

Dimensión:520±10nm

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Zafiro plano Oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas en Sapphire SSP

Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um

100m m 4 avanzan lentamente el grueso azul 5um - 6um del LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

12.5m m 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped

Zafiro plano de oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas C

Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar

GaN dopado con UID tipo N de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP>0,5 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN

GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial

laser MG-dopado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

laser 455±10nm de 2inch Azul-LED GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Capa de la dimensión 520±10nm 2inch Verde-LED GaN On Silicon Wafer 20nmContact

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal