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GaN Epitaxial Wafer

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Solo substrato cristalino de GaN

Oblea epitaxial de GaN no dopada

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Zafiro plano Oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas en Sapphire SSP

Nombre de producto:azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED

Grueso:650 ± los 25μm

Orientación:Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,2 ± 0.1°
Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um

Nombre de producto:substratos libres de 2 pulgadas de N-GaN

Dimensiones:50,0 ±0.3mm

Artículo:GaN-FS-C-N-C50-SSP
100m m 4 avanzan lentamente el grueso azul 5um - 6um del LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Tipo:Zafiro plano

Nombre de producto:azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED

Polaco:Solo lado pulido (SSP)/lado doble pulido (DSP)
12.5m m 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped

Nombre de producto:substratos libres de 2 pulgadas de N-GaN

Dimensiones:50,0 ±0.3mm

Grueso:400 ± los 30μm
Zafiro plano de oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas C

Tipo:Zafiro plano

Nombre de producto:azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED

Polaco:Solo lado pulido (SSP)/lado doble pulido (DSP)
Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar

Nombre de producto:Solo substrato cristalino de GaN

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm
5*10mm2 SP-Face sin dopado de tipo N, GaN de pie libre, sustrato de cristal único 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistencia 0,05 Ω·cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
350 ± 25 μm espesor Substrato monocristalino de GaN de tipo N libre sin dopado con TTV ≤ 10 μm y resistividad 0,1 Ω·cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
SP-Face 11-12 No dopado Tipo N GaN de pie libre Substrato de cristal único Resistividad 0,05 Ω·cm Densidad de defecto macro 0cm−2

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

Orientación:avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° (11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2
Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Orientación:avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° (11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2

TTV:≤ el 10µm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
5*10mm2 SP-Face 10-11 No dopado Tipo N independiente GaN Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistencia para dispositivo de energía

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

Orientación:(10- 11) ángulo de desviación del plano hacia el eje A 0 ±0,5° (10- 11) ángulo de desviación del pla

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Solo substrato cristalino de GaN

Oblea epitaxial de GaN no dopada

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Zafiro plano Oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas en Sapphire SSP

Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um

100m m 4 avanzan lentamente el grueso azul 5um - 6um del LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

12.5m m 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped

Zafiro plano de oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas C

Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar

5*10mm2 SP-Face sin dopado de tipo N, GaN de pie libre, sustrato de cristal único 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistencia 0,05 Ω·cm

350 ± 25 μm espesor Substrato monocristalino de GaN de tipo N libre sin dopado con TTV ≤ 10 μm y resistividad 0,1 Ω·cm

SP-Face 11-12 No dopado Tipo N GaN de pie libre Substrato de cristal único Resistividad 0,05 Ω·cm Densidad de defecto macro 0cm−2

Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 No dopado Tipo N independiente GaN Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistencia para dispositivo de energía

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal