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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Solo substrato cristalino de GaN | Dimensiones: | ² de 5 x de 10m m |
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| Grueso: | 350 ±25µm | Orientación: | Un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° A (11-20) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0 |
| TTV: | ≤ el 10µm | Arco: | - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm |
| Resaltar: | Nitruro de galio de tipo N,sustrato epitaxial de GaN sin dopar,sustrato de nitruro de galio de gan de cara |
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Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo n sin dopar de cara A de 5*10,5 mm2 Resistividad < 0,05 Ω·cm Dispositivo de alimentación/oblea láser
Descripción general
La densidad de potencia mejora considerablemente en los dispositivos de nitruro de galio en comparación con los de silicio porque GaN tiene la capacidad de soportar frecuencias de conmutación mucho más altas.También tiene una mayor capacidad para soportar temperaturas elevadas.
| A Fas Free-calleanortedinortegramo GRAMOanorte Subcallereal academia de bellas artestmis | ||||
| Artículo | GaN-FS-AUS | GaN-FS-ANS | GaN-FS-A-SI-S |
Observaciones: Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la superficie delantera y la trasera. |
| Dimensiones | 5x10mm2 | |||
| Espesor | 350 ±25 micras | |||
| Orientación |
Un plano (11-20) fuera de ángulo hacia el eje M 0 ±0,5° Un plano (11-20) fuera de ángulo hacia el eje C - 1 ±0,2° |
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| Tipo de conducción | tipo N | tipo N | Semiaislante | |
| Resistividad (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 micras | |||
| ARCO | - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm | |||
| Rugosidad de la superficie frontal |
< 0,2 nm (pulido); o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) |
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| Rugosidad de la superficie trasera |
0,5 ~ 1,5 micras opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido) |
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| Densidad de dislocación | Desde 1x105a 3 x 106cm-2 | |||
| Densidad de macrodefectos | 0cm-2 | |||
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo de corte incorrecto
Si δ1= 0 ±0,5°, entonces el plano A (11-20) fuera del ángulo hacia el eje M es 0 ±0,5°.
Si δ2= - 1 ±0,2°, entonces el plano A (11-20) fuera del ángulo hacia el eje C es - 1 ±0,2°.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
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