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Inicio ProductosGaN Epitaxial Wafer

Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm

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Cara GaN Substrate de C

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm

Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm
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Ampliación de imagen :  Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD01-001-013
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000pcs/Month
Contacto

Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm

descripción
Dimensiones: ² de 5 x de 10m m Orientación: avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° (11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2
TTV: ≤ el 10µm Arco: - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm
Densidad macra del defecto: ² 0cm⁻ Área usable: > el 90% (exclusión del borde)
Nombre de producto: cara GaN Substrates libre (de 11-22) Densidad de dislocación: ⁵ de From1 x10 al ² del cm⁻ de 3 x 10 ⁶
Resaltar:

0.1 Ω·cm GaN Substrato de cristal único

,

Substrato de cristal único de 10 μm GaN

,

5x10mm2 GaN Substrato de cristal único

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) del substrato de GaN < 0="">


Descripción
Desde los años 90, se ha utilizado comúnmente en los diodos electroluminosos (LED). El nitruro del galio emite una luz azul usada para la disco-lectura en Blu-ray. Además, el nitruro del galio se utiliza en dispositivos de poder del semiconductor, componentes del RF, lasers, y photonics. En el futuro, veremos GaN en tecnología de los sensores.

(11- 22) haga frente a los substratos libres de GaN
Artículo

GAN-FS-SP-U-s

GAN-FS-SP-N-s

 GAN-FS-SP-SI-s

Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm 0

Observaciones:

Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm="">

Dimensiones 5 x 10 milímetros2
Grueso µm 350 ±25
Orientación

avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 ±0.5°

avión (de 11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2°
Tipo de la conducción N-tipo N-tipo Semiaislante
Resistencia (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm del ≤ 10
ARCO - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm
Front Surface Roughness

< 0="">

o < 0="">

Aspereza superficial trasera

0,5 μm ~1,5

opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0="">

Densidad de dislocación A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s
Densidad macra del defecto 0 cm2s
Área usable > el 90% (exclusión del borde)
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno

Apéndice: El diagrama del ángulo del miscut

Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm 1

Si ±0.5°del δ1 = 0, después el avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS es 0 ±0.5°.

Si δ2 = - 1 ±0.2°, después el avión (de 11-22) del ángulo hacia C-AXIS es - 1 ±0.2°.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

etiqueta:

Oblea de semiconductor del nitruro del galio,

Situación libre GaN Substrates,

LED azul GaN Epitaxial Wafer

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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