N-tipo GaN On Sapphire Wafer Si-dopado SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer de 4 pulgadas

N-tipo GaN Si-dopado de 4 pulgadas en la oblea SSP resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, oblea epitaxial del zafiro del PIN

Para GaN ligeramente Si-dopado (el 1016 del   del × del   del   [Si] = del   2,1 cm ⁻³⁾, la movilidad de electrón de la temperatura ambiente (RT) eran tan altos como los cm2s 1008 de   s ^{−1 del}   V ^{−1 del}  , que fue limitado dominante por la dispersión óptica polar del fonón. Por otra parte, encontramos que GaN pesadamente Si-dopado preparado usando PSD exhibió una movilidad del RT de hasta 110 cm2s de   s ^{−1 del}   V ^{−1 del}   en una concentración del electrón del   1020 del   del × de 2   cm ⁻³, que indicó que la resistencia de esta película era casi tan pequeña como las de óxidos conductores transparentes típicos tales como óxido de la lata del indio.

En temperaturas más bajas, la movilidad de electrón aumentó a los cm2s 1920 de   s ^{−1 del}   V ^{−1 del}   en 136 el   K, y la dependencia de la temperatura fue explicada bien por los modelos convencionales de la dispersión. Estos resultados indican que GaN Si-dopado preparado usando PSD está prometiendo no sólo para la fabricación de los dispositivos de poder GaN-basados pero también para el uso como materiales transparentes epitaxiales del electrodo para el nitruro basó los dispositivos ópticos.

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