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µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
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Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD01-001-002
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000pcs/Month

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

descripción
Nombre de producto: GaN Epitaxial Wafer Dimensiones: 10*10,5 mm²
Grueso: 350 ±25µm TTV: ≤ el 10µm
Arco: - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm Densidad macra del defecto: ² 0cm⁻
Resaltar:

10*10

la C-cara 10*10.5mm2 Si-dopó el n-tipo sola resistencia cristalina libre del substrato de GaN < 0="">


Descripción
El substrato del nitruro del galio (GaN) es un substrato monocristal de alta calidad. Se hace con método de HVPE y la tecnología de proceso originales de la oblea, que se ha desarrollado originalmente durante muchos años. Las características son alta uniformidad cristalina, buena, y calidad superficial superior.

10 x 10,5 mm2 GaN Substrates libre
Artículo GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 0

Observaciones:
Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm="">

Dimensiones 10 x 10,5 milímetros2
Grueso µm 350 ±25
Orientación Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°
Tipo de la conducción N-tipo N-tipo Semiaislante
Resistencia (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm del ≤ 10
Arco - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm
Aspereza superficial de la cara del GA < 0=""> o < 0="">
Aspereza superficial de la cara de N 0,5 μm ~1,5
opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0="">
Densidad de dislocación A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s (calculados por el CL) *
Densidad macra del defecto 0 cm2s
Área usable > el 90% (exclusión del borde)
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno

estándares del *National de China (GB/T32282-2015)

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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