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GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único

GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único
GaN 2 Inch Gallium Nitride Single Crystal Substrate
GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único

Ampliación de imagen :  GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único

Datos del producto:
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: Ganova
Número de modelo: JDCD01-001-019
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Detalles de empaquetado: Embalaje interior: caja de embalaje específica de la obletera, embalaje exterior: embalaje de caja d
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000/pcs/Month

GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único

descripción
Resaltar:

Nitruro de galio GaN Substrato de cristal único

,

2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único

 

Substrato libre de GaN sin dopado

 

1, Resumen del sustrato de cristal único de nitruro de galio(Substrato de GaN)

El sustrato de cristal único de nitruro de galio (substrato de GaN) es un componente importante requerido en el proceso de preparación de cristales de nitruro de galio (GaN).y es el sustrato en el que se cultivan los cristales de nitruro de galioLos cristales de nitruro de galio (GaN) tienen una amplia gama de escenarios de aplicación, incluidos los LED, los dispositivos electrónicos de alta velocidad y los dispositivos electrónicos de potencia.La calidad del sustrato de cristal único de nitruro de galio ((substrato de GaN) tiene un impacto crucial en el rendimiento y el rendimiento del cristal.

 


2Especificaciones del producto

 

 

Substratos de U-GaN/SI-GaN de 2 pulgadas en pie libre
GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único 0

 

Nivel excelente (S)

 

Nivel de producción (A)

Investigación

nivel (B)

¡ Qué tonto!

nivel (C)

 

 

GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único 1

 

 

 

 

Nota:

(1) Área útil: exclusión de los defectos de borde y macro

(2) 3 puntos: los ángulos de error de corte de las posiciones (2, 4, 5) son 0,35 ± 0.15o

S-1 S-2 A-1 A-2
Las dimensiones 50.8 ± 1 mm
El grosor 350 ± 25 μm
Piso de orientación (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm
Plano de orientación secundaria (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm
Resistencia (300K)

< 0,5 Ω·cm para el tipo N (sin dopaje; GaN-FS-C-U-C50)

o > 1 x 106Ω·cm para el semi-aislante (dopado con Fe; GaN-FS-C-SI-C50)

TTV GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único 2≤ 15 μm
- ¿Qué quieres decir? ≤ 20 μm ≤ 40 μm
Ga rugosidad de la superficie de la cara

< 0,2 nm (polido)

o < 0,3 nm (polido y tratamiento superficial para epitaxia)

N rugosidad de la superficie de la cara

0.5 ~ 1,5 μm

Opción: 1 a 3 nm (mundo fino); < 0,2 nm (polido)

Paquete Envasado en un cuarto limpio en un recipiente de una sola oblea
Área utilizable > 90% > 80% > 70%
Densidad de dislocación El valor de las emisiones de CO25en cm- ¿ Qué pasa? 3x106en cm- ¿ Qué pasa? El valor de las emisiones de CO25en cm- ¿ Qué pasa? 3x106en cm- ¿ Qué pasa? 3x106en cm- ¿ Qué pasa?
Orientación: plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M

0.35 ± 0.15o

(3 puntos)

0.35 ± 0.15o

(3 puntos)

0.35 ± 0.15o

(3 puntos)

Densidad de macro defectos (agujero) 0 cm- ¿ Qué pasa? < 0,3 cm- ¿ Qué pasa? de tamaño < 1 cm- ¿ Qué pasa?
Tamaño máximo de los macrodefectos GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único 3 < 700 μm < 2000 μm < 4000 μm
 
 

 

Sobre nosotros

Nos especializamos en procesar una variedad de materiales en obleas, sustratos y componentes de vidrio óptico personalizados ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando estrechamente con muchas universidades nacionales y extranjeras., instituciones de investigación y empresas, proporcionan productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Es nuestra visión mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes por nuestra buena reputación.

 

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Preguntas frecuentes

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Sí, podríamos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagar el costo de flete.
P: ¿ Cuáles son sus términos de pago?
Pago <= 5000USD, 100% por adelantado.
Pagador >=5000USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

 

 

Transporte

 

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Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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