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2023-02-17 14:30:35
comprar Oblea solo Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6m m a 0.8m m en línea fabricante

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2023-02-17 14:17:37
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2022-10-09 10:30:43
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2022-10-09 10:34:19
comprar JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado en pie libre Ga2O3 Substrato de cristal único Calidad de producto Polido único en línea fabricante

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2025-04-27 11:43:51
comprar JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3 en línea fabricante

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2025-04-27 11:43:51
comprar JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto en línea fabricante

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2025-04-27 11:43:51
comprar Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Oblea epitaxial 2 pulgadas 4 pulgadas en línea fabricante

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2023-02-17 14:34:04
comprar Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate en línea fabricante

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2024-10-29 11:49:58
comprar Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2 en línea fabricante

Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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