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JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto
JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing
JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto

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Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD04-001-007
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto

descripción
Grueso: 0.6~0.8m m Nombre de producto: Solo Crystal Substrate
Orientación: (101) Superficie pulida: Solo lado pulido
FWHM: <350arcsec> Ra: ≤0.5nm

10x10 mm2(010) Sustrato monocristalino de Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido simple de grado de producto filtros UV

 

Mientras que los dispositivos basados ​​en silicio han sido capaces de producir dispositivos relativamente eficientes, las características mejoradas del nitruro de galio dan a los semiconductores de GaN la ventaja de perder mucha menos energía por calor.La amplia banda prohibida permite que los dispositivos GaN soporten temperaturas mucho más altas que el silicio, lo que permite un mayor nivel de eficiencia energética para sus dispositivos favoritos en general.

 

Sustrato de nitruro de galio: nivel de investigación
Dimensión 10*15mm 10*10mm
Espesor 0,6~0,8 mm
Orientación (010)
dopaje sn
Superficie pulida Pulido de un solo lado
Resistividad/Nd-Na 2.00E+17 1.53E+18
FWHM <350 arcsec
Real academia de bellas artes ≤0.5nm
Paquete Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, bajo una atmósfera de nitrógeno

 

 

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

 

 

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

 

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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