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Compuesto semiconductor GaAs Epi Wafer de 2 pulgadas GaAs Si Wafer UKAS
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2022-09-27 17:18:19

substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si
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2022-10-09 09:53:40

Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder
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2022-10-24 10:25:55

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal
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2022-10-24 10:20:57

Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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2022-10-24 10:23:40

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

Wafer epitaxial de GaN esencial para la producción de chips de alta tensión y alta frecuencia
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2024-07-31 15:01:27

GaN de tipo N de 2 ′′ 6 en una oblea epitaxial de zafiro para un dispositivo PIN con láser LED
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2024-07-31 15:01:27

JDCD10-001-002 Sustratos dopados con Si de GaAs (100) de 2 pulgadas
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2022-10-09 09:52:57

Aumente su producción con el procesamiento térmico rápido RTP-SA-8
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2024-06-14 14:35:56

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal