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semiconductor gallium arsenide wafer fabricación en línea

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comprar Compuesto semiconductor GaAs Epi Wafer de 2 pulgadas GaAs Si Wafer UKAS en línea fabricante

Compuesto semiconductor GaAs Epi Wafer de 2 pulgadas GaAs Si Wafer UKAS
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GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Leer más
2022-09-27 17:18:19
comprar substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si en línea fabricante

substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si
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2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Leer más
2022-10-09 09:53:40
comprar Wafer epitaxial de GaN esencial para la producción de chips de alta tensión y alta frecuencia en línea fabricante

Wafer epitaxial de GaN esencial para la producción de chips de alta tensión y alta frecuencia
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Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Leer más
2024-12-06 17:47:04
comprar 2 ′′ 6 pulgadas tipo N GaN en zafiro oblea epitaxial para dispositivo PIN láser LED en línea fabricante

2 ′′ 6 pulgadas tipo N GaN en zafiro oblea epitaxial para dispositivo PIN láser LED
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Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Leer más
2024-12-06 17:48:43
comprar Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder en línea fabricante

Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder
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JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for ... Leer más
2022-10-24 10:25:55
comprar 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal en línea fabricante

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal
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150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Leer más
2022-10-24 10:20:57
comprar Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm en línea fabricante

Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Leer más
2022-10-24 10:23:40
comprar 6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um en línea fabricante

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
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6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Leer más
2022-10-24 10:21:10
comprar JDCD10-001-002 Substratos dopados con GaAs (100) de 2 pulgadas en línea fabricante

JDCD10-001-002 Substratos dopados con GaAs (100) de 2 pulgadas
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2inch GaAs (100) Si-doped substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Leer más
2025-04-27 11:43:51
comprar Procesamiento térmico rápido para aumentar la producción Sistema de recocido RTP-SA-8 en línea fabricante

Procesamiento térmico rápido para aumentar la producción Sistema de recocido RTP-SA-8
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1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat ... Leer más
2024-12-06 17:48:00
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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