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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Sustratos no dopados de GaAs (100) | Método del crecimiento: | FVG |
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| Tipo de conducta: | S-C-N | dopante: | GaAs-Si |
| DE Orientación: | EJ[0-1-1]±0,5° | SI Orientación: | EJ[0-11]±0,5° |
| Resaltar: | Substratos sin impurificar de VGF,Substratos S-C-N del GaAs,Substratos sin impurificar del GaAs |
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100) substratos sin impurificar de 2inch GaAs ((100) 15°±0.5° de TowardA<111>
100) substratos sin impurificar de 2inch GaAs (
Descripción
El GaAs es un material del semiconductor con características de excelente rendimiento incluyendo hueco de banda directo, alta movilidad de electrón, eficacia de conversión de poco ruido, y alta de alta frecuencia.
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Oblea GaAs-Si |
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Método del crecimiento |
VGF |
| Tipo de la conducta | S-C-N |
| Dopante | GaAs-Si |
| Orientación | (100) 15°±0.5° de TowardA<111> |
| Ángulo de la orientación | 0° |
| De la orientación | EJ [0-1-1] ±0.5° |
| De la longitud (milímetros) | 17±1 |
| SI orientación | EJ [0-11] ±0.5° |
| SI longitud (milímetros) | 7±1 |
| Diámetro (milímetros) | 50.8±0.2 |
| Cc (/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
| Resistencia (ohm.cm) | N/A |
| Movilidad (cm2/v.s) | ≥1000 |
| EPD (/cm2) | ≤5000 |
| Grueso (um) | 350±20 |
| TTV (um) | <10> |
| TTR (um) | <10> |
| Arquee (um) | <15> |
| Defórmese (um) | <15> |
| Superficie | Side1: Side2 pulido: Grabado al agua fuerte |
| Empaquetado | Casete o solo |
Sobre nosotros
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