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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas | Método del crecimiento: | FVG |
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| Ángulo de orientación: | 0° | DE Orientación: | EJ[0-1-1]±0,5° |
| DE Longitud (mm): | 17±1 | SI Orientación: | EJ[0-11]±0,5° |
| Resaltar: | Oblea VGF GaAs Epi,espesor 350um de oblea gaas,lado de oblea GaAs Epi pulido |
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Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas
Descripción general
El arseniuro de galio de una oblea de GaAs tiene el atributo de generar luz láser a partir de la electricidad de manera directa.Hay dos tipos de oblea de GaAs;monocristalino y policristalino.Estas obleas se utilizan en la producción de microelectrónica y optoelectrónica para fabricar LED, circuitos de microondas y LD.También se implementa en paneles solares.
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Oblea de GaAs-Si |
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Método de crecimiento |
FVG |
| Tipo de conducta | SCN |
| dopante | GaAs-Si |
| Orientación | (100)15°±0,5° Apagado Hacia<111>A |
| Ángulo de orientación | 0° |
| DE Orientación | EJ[0-1-1]±0,5° |
| DE Longitud (mm) | 17±1 |
| SI Orientación | EJ[0-11]±0,5° |
| SI Longitud (mm) | 7±1 |
| Diámetro (mm) | 50,8±0,2 |
| cc(/cc) | 0.4E18~1E18 |
| Resistividad (ohm.cm) | N / A |
| Movilidad (cm2/vs) | ≥1000 |
| DEP(/cm2) | ≤5000 |
| Espesor (um) | 350±20 |
| TTV (um) | <10 |
| TTR(um) | <10 |
| Arco (um) | <15 |
| Deformación (eh) | <15 |
| Superficie | Lado 1: Pulido Lado 2: Grabado |
| embalaje | Cassette o solo |
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
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