CHINA Oblea Epi GaAs

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  JDCD10-001-005 Sustratos dopados con Zn GaAs(111) de 2 pulgadas

  Nombre de producto:Oblea de GaAs-Si

  Método del crecimiento:FVG

  Tipo de conducta:S-C-N

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  JDCD10-001-003 Sustratos dopados con Zn GaAs(100) de 2 pulgadas

  Nombre de producto:Oblea de GaAs-Si

  Orientación:(100) 15°±0.5° de Toward<111>A

  DE Orientación:EJ[0-1-1]±0,5°

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  111) substratos Si-dopados de JDCD10-001-004 2inch GaAs (

  Nombre de producto:Oblea de GaAs-Si

  Ángulo de orientación:0°

  DE Orientación:EJ[0-1-1]±0,5°

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