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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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longitud de onda 915nm de Chip Slope Efficiency 1.0W/A del diodo láser 94um
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2022-10-09 10:04:51

Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58%
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2022-09-22 15:12:40

Chip de diodo láser de paquete estándar de montaje en superficie 1.0W/A
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2022-09-22 15:13:00

soporte superficial de Chip Laser Printing Wavelength 915nm de los diodos láser 0.5A
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2022-09-22 15:04:02

Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A
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2022-09-22 15:13:34

paquete de Chip Printing Surface Mount Standard del diodo láser 915nm
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2022-09-22 15:13:16

Diodo grado 10W de potencia de salida de Chip Operating Temperature 15 a 55 de la impresión por láser
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2022-09-22 15:09:34

Longitud de onda 915nm del tamaño 94μm del emisor del microprocesador 1.0W/A del semiconductor del diodo del laser de la impresión
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2022-09-22 15:10:25

Microprocesador del laser del diodo del tamaño 94um del emisor en la corriente 0.5A del umbral del diseño del submontaje
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2022-09-26 11:34:28

Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en diseño de submontaje
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2022-09-22 15:11:09

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal