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semiconductor diode laser chip fabricación en línea

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Longitud de onda 915nm del tamaño 94μm del emisor del microprocesador 1.0W/A del semiconductor del diodo del laser de la impresión
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2022-09-22 15:10:25

Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58%
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2022-09-22 15:12:40

Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A
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2022-09-22 15:13:34

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal