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Datos del producto:
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| Orientación superficial: | Uno-avión (11-20) | Material: | ₃ del ₂ O del Al de la pureza elevada (los >99.995%) |
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| Grueso: | los 430±15μm | R-avión: | R9 |
| Diámetro: | 50,8 ±0.10 | Borde de la oblea: | R-tipo |
| Resaltar: | Thk 430um Sapphire Substrate,R del tipo oblea de semiconductor,OEM de Sapphire Substrate |
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Thk los 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED
JDCD08-001-001 oblea del substrato del zafiro del diámetro 50m m, Thk los 430μm, orientación cristalina C/M0.2, de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED, material del substrato
En la producción práctica, la oblea del zafiro es hecha cortando la barra cristalina y entonces moliéndola y puliéndola. Generalmente, la oblea de semiconductor es cortada en una oblea por cortar del alambre o la cortadora multifilar.
El zafiro es un material de una combinación única de propiedades físicas, químicas y ópticas, que hacen resistente a la erosión del choque de alta temperatura, termal, del agua y de la arena, y de rasguño. Es un material superior de la ventana para muchos usos del IR a partir del 3µm hasta los 5µm. los substratos del zafiro del C-avión son ampliamente utilizados crecer compuestos de III-V y de II-VI tales como GaN para el LED y los diodos láser azules, mientras que los substratos del zafiro del R-avión se utilizan para la deposición hetero-epitaxial del silicio para los usos microelectrónicos de IC.
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Parámetros |
Especificación | ||
| Unidad | Blanco | Tolerancia | |
| Material | Al2 O3 (los >99.995%) elevada de la pureza | ||
| Diámetro | milímetro | 50,8 | ±0.10 |
| Grueso | μm | 430 | ±15 |
| Orientación superficial | C-avión (0001) | ||
| - De ángulo hacia M-AXIS | grado | 0,20 | ±0.10 |
| - De ángulo hacia Uno-AXIS | grado | 0,00 | ±0.10 |
| Orientación plana | Uno-avión (11-20) | ||
| - Ángulo compensado plano | grado | 0,0 | ±0.2 |
| Longitud plana | milímetro | 16,0 | ±1 |
| R-avión | R9 | ||
| Aspereza superficial delantera (Ra) | nanómetro | <0.3 | |
| Aspereza superficial trasera | μm | los 0.8~1.2μm | |
| Calidad superficial delantera | El espejo pulió, EPI-listo | ||
| Borde de la oblea | R-tipo | ||
| Amplitud del chaflán | μm | 80-160 | |
| Radián incluido del ángulo entre el borde plano y el borde redondo | milímetro | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV (5x5m m) | μm | ≤1.5 | |
| Arco | μm | 0~-5 | |
| Deformación | μm | ≤10 | |
| Marca del laser | Como cliente requerido | ||
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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