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2024-10-29 11:49:57
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2022-09-27 16:24:09
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2023-02-17 11:22:13
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Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... Leer más
2023-02-17 10:18:05
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Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Wafer Edge R-Type Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip... Leer más
2022-09-27 16:31:18
comprar Oblea de sustrato de zafiro Al2O3 de alta pureza de 50 mm Thk 430 μm en línea fabricante

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JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate material The substrate is prepared from sapphire, which is a material with a ... Leer más
2023-02-17 10:17:43
comprar el espejo de 50m m Sapphire Wafer R9 pulió el tipo listo del borde R de la oblea de EPI en línea fabricante

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2023-02-17 10:17:17
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Sapphire Wafer pulida espejo EPI Front Surface listo
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2023-02-17 10:45:27
comprar Orientación del cristal C/M0.2 Oblea de zafiro Grosor 440 μm en línea fabricante

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Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 430μm JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate material ... Leer más
2022-09-26 16:02:07
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2023-02-17 10:36:16
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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