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Datos del producto:
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| Orientación superficial: | Uno-avión (11-20) | Nombre de producto: | 50m m Sapphire Substrate Wafer |
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| Material: | ₃ del ₂ O del Al de la pureza elevada (los >99.995%) | Grueso: | 430±10μm |
| R-avión: | R9 | Diámetro: | 50,8 ±0.10 |
| Resaltar: | Sapphire Substrate 440um,solo zafiro cristalino 50m m,Sapphire Substrate plana |
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50m m Sapphire Substrate Wafer Thk los 430μm de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED
JDCD08-001-001 oblea del substrato del zafiro del diámetro 50m m, Thk los 430μm, orientación cristalina C/M0.2, de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED, material del substrato
Se crece y se orienta el material, y los substratos se fabrican y se pulen a una superficie Epi-lista libre de daños extremadamente lisa en un o ambo lados de la oblea. Una variedad de orientaciones y de tamaños hasta 6" de la oblea diámetro están disponibles.
Los substratos del zafiro del Uno-avión - se utilizan generalmente para los usos microelectrónicos híbridos que requieren una constante dieléctrica uniforme y que aíslan altamente características.
Los substratos del C-avión - tienda a ser utilizado para los compuestos del lll-V y del ll-Vl, tales como GaN, para el LED brillante y los diodos láser azules y verdes.
Substratos del R-avión - éstos se prefieren para la deposición hetero-epitaxial del silicio usada en los usos microelectrónicos de IC.
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Parámetros |
Especificación | ||
| Unidad | Blanco | Tolerancia | |
| Material | Pureza elevada Al2O3 (los >99.995%) | ||
| Diámetro | milímetro | 50,8 | ±0.10 |
| Grueso | μm | 430 | ±10 |
| Orientación superficial | Uno-avión (11-20) | ||
| - De ángulo hacia M-AXIS | grado | 0,00 | ±0.10 |
| - De ángulo hacia Uno-AXIS | grado | 0,00 | ±0.10 |
| Orientación plana | C-avión (0001) | ||
| - Ángulo compensado plano | grado | 0,0 | ±0.2 |
| Longitud plana | milímetro | 16,0 | ±1 |
| R-avión | R9 | ||
| Aspereza superficial delantera (Ra) | nanómetro | <0.3 | |
| Aspereza superficial trasera | μm | los 0.9~1.2μm | |
| Calidad superficial delantera | El espejo pulió, EPI-listo | ||
| Borde de la oblea | R-tipo | ||
| Amplitud del chaflán | μm | 80-160 | |
| Radián incluido del ángulo entre el borde plano y el borde redondo | milímetro | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV (5x5m m) | μm | ≤1.5 | |
| Arco | μm | 0~-5 | |
| Deformación | μm | ≤10 | |
| Marca del laser | Como cliente requerido | ||
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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