el espejo de 50m m Sapphire Wafer R9 pulió el tipo listo del borde R de la oblea de EPI

Name: el espejo de 50m m Sapphire Wafer R9 pulió el tipo listo del borde R de la oblea de EPI
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD08-001-001
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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el espejo de 50m m Sapphire Wafer R9 pulió el tipo listo del borde R de la oblea de EPI

Ampliación de imagen : el espejo de 50m m Sapphire Wafer R9 pulió el tipo listo del borde R de la oblea de EPI

Datos del producto:

Número de modelo:	JDCD08-001-001

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado:	Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Condiciones de pago:	T/T

Contacto

el espejo de 50m m Sapphire Wafer R9 pulió el tipo listo del borde R de la oblea de EPI

descripción

Diámetro:	50,8 ±0.10	Orientación superficial:	Uno-avión (11-20)
Marca del laser:	Como cliente requerido	Borde de la oblea:	R-tipo
Material:	₃ del ₂ O del Al de la pureza elevada (los >99.995%)	Grueso:	430 ±15μm
Resaltar:	50m m Sapphire Wafer , Oblea lista pulida espejo de EPI , Sapphire Wafer R9

ElespejoR9 del Al₂O₃el>99.995%de la pureza elevadapulióel R-tipoEPI-listodelbordede laoblea

JDCD08-001-001 oblea del substrato del zafiro del diámetro 50m m, Thk los 430μm, orientación cristalina C/M0.2, de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED, material del substrato

El alto rendimiento del silicio (Si) y del germanio (GE) - dispositivos basados se puede hacer posible a través de Sapphire Substrate, que permite que los chipsetes sean muy rápidos en funcionamiento. La presencia de Si y de GE asegura alta movilidad de electrón y densidad gemela baja del defecto en los chipsetes. La movilidad de electrón en los dispositivos de SiGe es más alta que en el caso de los dispositivos del Si.

Parámetros	Especificación
Parámetros	Unidad	Blanco	Tolerancia
Material	Al₂ O₃ (_los >99.995%) elevada de la pureza
Diámetro	milímetro	50,8	±0.10
Grueso	μm	430	±15
Orientación superficial	C-avión (0001)
- De ángulo hacia M-AXIS	grado	0,20	±0.10
- De ángulo hacia Uno-AXIS	grado	0,00	±0.10
Orientación plana	Uno-avión (11-20)
- Ángulo compensado plano	grado	0,0	±0.2
Longitud plana	milímetro	16,0	±1
R-avión	R9
Aspereza superficial delantera (Ra)	nanómetro	<0.3
Aspereza superficial trasera	μm	los 0.8~1.2μm
Calidad superficial delantera	El espejo pulió, EPI-listo
Borde de la oblea	R-tipo
Amplitud del chaflán	μm	80-160
Radián incluido del ángulo entre el borde plano y el borde redondo	milímetro	R=9
TTV	μm	≤5
LTV (5x5m m)	μm	≤1.5
Arco	μm	0~-5
Deformación	μm	≤10
Marca del laser		Como cliente requerido

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

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