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comprar Una oblea de zafiro plano pulido espejo EPI Ready en línea fabricante

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2023-02-17 10:36:16
comprar El tipo listo espejo de EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R pulió en línea fabricante

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2022-09-27 16:31:18
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2024-10-29 11:49:57
comprar el espejo de 50m m Sapphire Wafer R9 pulió el tipo listo del borde R de la oblea de EPI en línea fabricante

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2023-02-17 10:17:17
comprar Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED en línea fabricante

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2022-09-27 16:24:09
comprar C-avión Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch en línea fabricante

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2025-04-04 22:43:50
comprar Crystal Orientation C/M0.2 50m m Sapphire Substrate Wafer Thk 420um en línea fabricante

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2023-02-17 11:22:13
comprar R-avión Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-004 2inch en línea fabricante

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2025-04-04 22:42:27
comprar Sapphire Wafer pulida espejo EPI Front Surface listo en línea fabricante

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2023-02-17 10:45:27
comprar Un plano Orientación de la superficie Zafiro Wafer Pulido de espejo Listo para EPI en línea fabricante

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2023-02-17 10:18:27
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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