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Datos del producto:
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TUA: | el ≥90% | Polytype: | {0001}±0,5° |
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Nombre de producto: | Oblea del nitruro de aluminio | Diámetro: | 25,4±0,5 mm |
Grueso: | 400±50μm | Crystal Form: | 2H |
Resaltar: | oblea del nitruro de aluminio 1inch,2H solo Crystal Wafer,Oblea 450um del nitruro de aluminio |
Solo los 400±50μm S/P/R grado cristalino de JDCD02-001-001 1inch AlN
El substrato de AlN es uno del substrato de cerámica más popular que tiene resistencia térmica excelente, alta fuerza mechnical, resistencia de abrasión y pequeña pérdida dieléctrica. La superficie del substrato de AlN es porosidad muy lisa y baja. El nitruro de aluminio tiene conductividad termal más alta, comparada al substrato del alúmina, él es cerca de 7 a 8 veces altas. El substrato de AlN es un material electrónico excelente del paquete.
Una película fina del nitruro de aluminio es una capa de aluminio que sea resistente a las temperaturas altas. Durante temperaturas altas, esta capa de aluminio ayudará a proteger el material. En ambientes de alta presión, puede ser inestable. Puede soportar una gama de temperaturas hasta 980degC. En los niveles inferiores, puede ser tóxica a los seres humanos. También se utiliza en teléfonos móviles. Sus propiedades son extremadamente diversas.
solo substrato cristalino del nitruro de aluminio 1inch | |||
Crystal Specifications | Valor de parámetro | ||
Diámetro (milímetros) | 25.4±0.5 | ||
Grueso (μm) | 400±50 | ||
Crystal Form | 2H | ||
Polytype | {0001} ±0.5° | ||
Pulido superficial | Superficie de aluminio: pulido químico (el pulido doble puede ser modificado para requisitos particulares) | ||
Aspereza |
Cara del Al: ≤0.5nm Cara de N (trasera): ≤1.2μm |
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aspecto | Correa circular que coloca el borde | ||
Grado de calidad | Grado de S (estupendo) | Grado de P (Prouduction) | Grado de R (investigación) |
Medio width@ de la altura de HRXRD {0002} (arco segundo) | ≤150 | ≤300 | ≤500 |
Medio width@ de la altura de HRXRD {10-12} (arco segundo) | ≤100 | ≤200 | ≤400 |
absorción coefficient@265nm (cm-1) | ≤50 | ≤70 | ≤100 |
Exclusión del borde (milímetros) | 1 | 1 | 1 |
Mellas | / | / | / |
Microprocesadores | / | / | ≤3 ≤1.0mm acumulativo |
TUA | el ≥90% | ||
Orientación de colocación principal del borde | {10-10} ±5.0° | ||
Orientación de la superficie de situación secundaria |
Cara del Al: Gire a la derecha en dirección del edge90°±5° de colocación principal Cara de N: Gire a la izquierda en dirección del edge90°±5° de colocación principal |
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TTV (μm) | ≤30 | ||
Deformación (μm) | ≤30 | ||
Arco (μm) | ≤30 | ||
Grietas | No, ojo desnudo, luz fuerte | ||
Contaminación | No, ojo desnudo, radiación | ||
Codificación del laser | La cara de N, es paralelo a al borde de situación principal | ||
Paquete | Caja monolítica de la oblea |
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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