Inicio

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. mapa del sitio

Todos los productos

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Oblea sic epitaxial
(39)

Oblea Epi GaAs
(15)

Sustratos de diamante CVD
(15)

Sistema de recocido térmico rápido
(2)

Probador de sensores de efecto Hall
(3)

Oblea del nitruro de aluminio
(21)

Microprocesador del diodo láser
(10)

Cristal del carburo de silicio
(12)

Oblea Ga2O3
(13)

oblea de silicio
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelada
(10)

Tenedor de la oblea del
(1)

Cortadora de obleas
(5)

Certificación

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

Estoy en línea para chatear ahora

Compañía

Perfil de la empresa
historia de la compañía
empresa de servicios
Visita a la fábrica
Control de Calidad
Contactar Ahora

Productos

GaN Epitaxial Wafer

Sustratos de GaN independientes de cara M de oblea epitaxial de GaN sin dopar
Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente
Grosor de oblea epitaxial de 5 x 10 mm2 M Face GaN 325um 375um
Oblea semiconductora de nitruro de galio monocristalino TTV 10um

Oblea sic epitaxial

Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D
nivel P del sustrato de carburo de silicio de 260 μm para dispositivos de potencia y dispositivos de microondas
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal
P MOS Grade 2 avanza lentamente sic el SBD del nivel P P de la oblea de Epi califica el grado 150.0m m de D

Oblea del nitruro de aluminio

JDWY01-001-006 película gruesa de 2 pulgadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
JDWY01-001-004 película gruesa de 2 pulgadas (2,3) um AIN en la oblea del zafiro, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
JDWY01-001-007 Película gruesa de 2 pulgadas (4,5)Um AIN en oblea de zafiro, SSP, XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec
1 pulgada de oblea de cristal único AlN 400±50μM grado S/P/R

oblea de silicio

JDCD06-001-007 Wafer de silicio de 12 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos
JDCD06-001-006 Wafer de silicio de 8 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos
JDCD06-001-005 Wafer de silicio de 6 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos
JDCD06-001-004 Wafer de silicio de 5 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

Sapphire Wafer

C-avión Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
JDCD08-001-005 Oblea de sustrato de zafiro R-Plane de 4 pulgadas
R-avión Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-004 2inch

Page 5 of 17|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

Contacto

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. mapa del sitio

GaN Epitaxial Wafer

Oblea sic epitaxial

Oblea Epi GaAs

Sustratos de diamante CVD

Sistema de recocido térmico rápido

Probador de sensores de efecto Hall

Oblea del nitruro de aluminio

Microprocesador del diodo láser

Cristal del carburo de silicio

Oblea Ga2O3

oblea de silicio

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelada

Tenedor de la oblea del

Cortadora de obleas

GaN Epitaxial Wafer

Oblea sic epitaxial

Oblea del nitruro de aluminio

oblea de silicio

Sapphire Wafer

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal