Inicio

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. mapa del sitio

Todos los productos

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Oblea sic epitaxial
(39)

Oblea Epi GaAs
(15)

Sustratos de diamante CVD
(15)

Sistema de recocido térmico rápido
(2)

Probador de sensores de efecto Hall
(3)

Oblea del nitruro de aluminio
(21)

Microprocesador del diodo láser
(10)

Cristal del carburo de silicio
(12)

Oblea Ga2O3
(13)

oblea de silicio
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelada
(10)

Tenedor de la oblea del
(1)

Cortadora de obleas
(5)

Certificación

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

Estoy en línea para chatear ahora

Compañía

Perfil de la empresa
historia de la compañía
empresa de servicios
Visita a la fábrica
Control de Calidad
Contactar Ahora

Productos

GaN Epitaxial Wafer

Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M
TTV ≤ 10μm Cara A sin dopado tipo N independiente GaN de sustrato de cristal único Resistividad 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/Láser W
10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer
2 pulgadas de LED verde GaN en la oblea de silicio Dimensión 520 ± 10nm

Oblea sic epitaxial

4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio
4 pulgadas de GaN en el silicona verde LED Epi oblea SiC oblea epitaxial
4 pulgadas de GaN en el silicona verde LED Epi oblea SiC oblea epitaxial

Page 10 of 17|< << 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 >> >|

Contacto

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. mapa del sitio

GaN Epitaxial Wafer

Oblea sic epitaxial

Oblea Epi GaAs

Sustratos de diamante CVD

Sistema de recocido térmico rápido

Probador de sensores de efecto Hall

Oblea del nitruro de aluminio

Microprocesador del diodo láser

Cristal del carburo de silicio

Oblea Ga2O3

oblea de silicio

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelada

Tenedor de la oblea del

Cortadora de obleas

GaN Epitaxial Wafer

Oblea sic epitaxial

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal