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GaN Epitaxial Wafer

SP-Face 11-12 No dopado Tipo N GaN de pie libre Substrato de cristal único Resistividad 0,05 Ω·cm Densidad de defecto macro 0cm−2
Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm
5*10mm2 SP-Face 10-11 No dopado Tipo N independiente GaN Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistencia para dispositivo de energía

Oblea sic epitaxial

2 pulgadas de GaN en el silicio verde LED Epi wafer Nitruro de galio en el silicio
2 pulgadas de GaN en el silicio azul LD Epi oblea GaN láser azul en el silicio
GaN láser violeta en el silicio 2 pulgadas GaN en el silicio HEMT Epi oblea UV LD Epi oblea
Barrera de AlGaN 4 pulgadas de GaN en la oblea de silicio HEMT Epi de nitruro de galio GaN-en-Si

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Contacto

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal