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JDWY01-001-006 película gruesa de 2 pulgadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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JDWY01-001-006 película gruesa de 2 pulgadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

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Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDWY01-001-006
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Condiciones de pago: T/T

JDWY01-001-006 película gruesa de 2 pulgadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

descripción
Dimensiones: φ50,8 mm±0,1 mm, OF(1-100), cara de Al, borde de posicionamiento 16,0± 1,0 mm Substrato: Zafiro (laterales simples o dobles pulidos)
Grueso: [1,2) μm, [2,3) μm, [3,4) μm, [4,5) μm Zona de exclusión de borde: <2 mm
Aspereza superficial: Ra Nombre de producto: Oblea del nitruro de aluminio
XRD FWHM de (002): ≤80arcsec, ≤100arcsec, ≤120arcsec, ≤160arcsec XRD FWHM de (102): ≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec
Resaltar:

DSP AIN en una oblea de zafiro

película gruesa de 2 pulgadas (3,4) um AIN en la oblea del zafiro, DSP, XRD FWHM (002) de la desinfección ULTRAVIOLETA de ≤120arcsec (102) ≤450arcsec, microprocesador del LED

El substrato de AlN es uno del substrato de cerámica más popular que tiene resistencia térmica excelente, alta fuerza mechnical, resistencia de abrasión y pequeña pérdida dieléctrica. La superficie del substrato de AlN es porosidad muy lisa y baja. El nitruro de aluminio tiene conductividad termal más alta, comparada al substrato del alúmina, él es cerca de 7 a 8 veces altas. El substrato de AlN es un material electrónico excelente del paquete.

Artículo AlN-T-C-U-C50
Dimensiones φ50.8 mm±0.1 milímetro, DE (1-100), Al Face, localizando el borde 16.0± 1,0 milímetros
Substrato Zafiro (laterales simples o dobles pulidos)
Grueso el 1~5μm
Orientación

C-avión (0001) ±1o

Tipo de la conducción Semiaislante
Calidad cristalina Grueso XRD FWHM de (002) XRD FWHM de (102)
μm [de 1,2) ≤80arcsec ≤650arcsec
μm [de 2,3) ≤100arcsec ≤550arcsec
μm [de 3,4) ≤120arcsec ≤450arcsec
μm [de 4,5) ≤160arcsec ≤400arcsec
Zona de exclusión del borde

<2mm>

Aspereza superficial Ra<1>
Paquete Vacío que embala en un ambiente del sitio limpio de la clase 10000, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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