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AlGaN Buffer Espesor 600nm 2 pulgadas Blue-LED GaN en oblea de silicio
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zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros
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2022-10-08 17:16:14

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la Uno-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm
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Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M
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SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm
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2 pulgadas GaN en la oblea de silicio HEMT Epi para el dispositivo de energía
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2024-12-06 17:40:06

Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente
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2 pulgadas U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8m m
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Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga < 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
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oblea de semiconductor del nitruro del galio de 50.8m m situación libre de 2 pulgadas
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2022-10-08 17:22:16

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