Inicio Productosgan epitaxial wafer fabricante en línea

Todos los productos

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Oblea sic epitaxial
(39)

Oblea Epi GaAs
(15)

Sustratos de diamante CVD
(15)

Sistema de recocido térmico rápido
(2)

Probador de sensores de efecto Hall
(3)

Oblea del nitruro de aluminio
(21)

Microprocesador del diodo láser
(10)

Cristal del carburo de silicio
(12)

Oblea Ga2O3
(13)

oblea de silicio
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelada
(10)

Tenedor de la oblea del
(1)

Cortadora de obleas
(5)

Certificación

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

Estoy en línea para chatear ahora

gan epitaxial wafer fabricación en línea

(84)

2 ′′ 6 pulgadas tipo N GaN en zafiro oblea epitaxial para dispositivo PIN láser LED
Contacto

2024-12-06 17:48:43

GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial
Contacto

2025-04-04 22:43:49

Dispositivo de potencia de 2 pulgadas Transistor de alta movilidad de electrones Wafer epitaxial
Contacto

2024-12-06 17:41:10

4 pulgadas de GaN en el silicona verde LED Epi oblea SiC oblea epitaxial
Contacto

2024-12-06 17:33:43

4 pulgadas de GaN en el silicona verde LED Epi oblea SiC oblea epitaxial
Contacto

2024-12-06 17:33:43

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas
Contacto

2024-10-14 17:06:30

4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio
Contacto

2024-12-06 17:33:43

12.5m m 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped
Contacto

2024-10-29 11:49:58

Pulgada GaN Epi Wafer Dimensions del grueso 370um 430um 2 50m m
Contacto

2024-10-29 11:49:57

Un solo cristal Gan Epi Wafer Nitruro de galio Substrato 4 pulgadas
Contacto

2024-12-06 17:44:01

Page 3 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|